时间：2025/7/23 21:17:09
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STP120NF10是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高电流和低导通电阻的特点，适用于高功率开关和电源管理应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：120A
最大漏源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（最大值）
栅极电荷：240nC
封装类型：TO-220、TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
STP120NF10是一款专为高功率应用而设计的MOSFET，具有非常低的导通电阻，可减少导通损耗并提高能效。其高电流承载能力和高耐压特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统和负载开关等场景。此外，该器件采用先进的平面条纹和沟槽技术，提供优良的热稳定性和可靠性，同时在高温环境下也能保持稳定的性能。由于其高栅极电荷值，使用时需注意驱动电路的设计，以确保快速开关并减少开关损耗。
该MOSFET支持多种封装形式，包括TO-220和TO-247，便于根据具体应用选择合适的封装形式，从而优化散热性能。其广泛应用于工业电源、汽车电子、太阳能逆变器以及高功率电池管理系统中。
STP120NF10主要用于需要高电流和高效率的功率转换系统，如DC-DC降压/升压变换器、H桥电机驱动、电源管理模块、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及电动车和储能系统的功率控制部分。此外，它也可用于高功率LED照明驱动和开关电源（SMPS）中的主开关元件。
IRF1405, FDP120N10, IPW90R120I-ES
