时间：2025/6/30 13:07:15
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STP110N10F7是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。STP110N10F7具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低能量损耗。
这款MOSFET的设计主要针对直流电机驱动、负载切换、开关电源以及其他功率转换应用。其耐压能力为100V，能够承受一定的电压波动，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：110A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：98nC
总功耗：165W
工作温度范围：-55℃至+175℃
STP110N10F7具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并提升动态响应能力。
4. 热增强型TO-220封装，确保高效的散热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 良好的抗雪崩能力和ESD保护功能，提升了整体的可靠性和耐用性。
STP110N10F7广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 直流-直流转换器中的同步整流或主开关管。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各种工业设备中的负载切换和保护电路。
5. 电动车及太阳能逆变器等新能源相关应用中的功率控制组件。
STP110N10F7L
IRFZ44N
STP120N10F7
