STP10NK80 时间：2025/7/23 22:06:13 阅读：6

STP10NK80是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件设计用于高功率和高频率应用，具备优异的导通和开关性能，同时具备较高的耐用性和可靠性。STP10NK80广泛应用于电源转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备中。其主要特点包括低导通电阻、高耐压能力以及快速恢复二极管特性。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：800V
　　漏极电流（Id）：10A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.72Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：50nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、TO-247
　　功率耗散（Ptot）：125W

特性

STP10NK80 MOSFET的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压额定值达到800V，这使其适用于高电压输入的电源转换系统。此外，该器件的导通电阻较低，典型值为0.72Ω，有助于降低导通损耗并提高效率。在开关性能方面，STP10NK80具有较低的栅极电荷（Qg），使其在高频应用中表现出色，从而减少开关损耗并提高系统效率。此外，该器件内置一个快速恢复二极管，能够有效减少反向恢复时间，提高电路的稳定性。STP10NK80采用先进的制造工艺，确保其在高温环境下的稳定运行，并具备良好的热稳定性。其封装形式包括TO-220和TO-247，适用于不同的PCB布局和散热需求。

应用

STP10NK80广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、照明系统（如HID灯和LED驱动器）以及工业控制系统。在开关电源中，STP10NK80可用于主开关拓扑结构，如反激式和正激式转换器，提供高效率和高可靠性。在电机控制应用中，该器件可用于H桥结构，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，由于其高耐压特性，STP10NK80也可用于高压照明系统，如气体放电灯（HID灯）驱动器。在工业自动化领域，STP10NK80可作为高侧或低侧开关，用于控制大功率负载。