时间：2025/4/28 17:33:16
阅读：2
STP100N8F6是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
这款MOSFET的设计目标是提供高效的功率转换和出色的热性能，同时保持良好的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：100A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
输入电容：2760pF
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃至175℃
STP100N8F6具有低导通电阻的特点，能够显著降低导通损耗，提高系统的效率。此外，它还具备快速开关性能，这使得其在高频应用中表现出色。
该器件的高电流处理能力使其非常适合大功率应用场景，例如工业设备中的功率转换和控制。同时，其出色的热性能确保了即使在极端温度条件下也能稳定运行。
此外，STP100N8F6采用了先进的制造工艺，确保了器件的一致性和可靠性，减少了故障率，延长了使用寿命。
STP100N8F6广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。主要的应用包括但不限于以下几种：
1. 开关电源（SMPS），用于计算机、通信设备和消费电子产品的供电。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子系统和工业设备中的电压调节。
3. 电机驱动，适用于家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机控制。
4. 负载切换，在分布式电源系统中实现动态负载管理。
5. 电池保护电路，防止过流和短路对电池组造成损害。
IRF840,
STP160N10F5,
FDP18N10,
IXFN100N08T2
