时间：2025/4/30 16:36:24
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STP08DP05XTTR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款双通道N沟道功率MOSFET，采用TSSOP6封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景，例如负载开关、电源管理模块、电机驱动等。这款MOSFET以其低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能而著称。
STP08DP05XTTR通过将两个MOSFET集成在一个小型封装中，简化了电路设计并节省了PCB空间，同时支持高达40V的工作电压和8A的连续漏极电流。这使得它非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及工业应用中的多种功率转换需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：120mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TSSOP6
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 高耐压能力，适合各种功率级应用场景。
3. 双通道设计，简化了多路电源开关的实现。
4. 支持高温操作，具有良好的热稳定性。
5. 小型化封装，便于紧凑型电路板布局。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 负载开关
2. 电池供电设备中的电源管理
3. 消费类电子产品的保护电路
4. 电机控制和驱动
5. 工业设备中的功率转换
6. LED驱动器
7. 通信设备中的功率分配模块
STP08DP05L, STP08NM05L
