STN2NF10 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款 N 沟道功率 MOSFET。这款器件采用 DPAK 封装,适合用于各种高效能开关应用中。该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,使其成为功率转换、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。
STN2NF10 适用于高频率切换场景,并且其封装设计有助于改善散热性能,从而提升整体效率。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:8.7A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ
栅极-源极电压:±20V
总功耗:45W
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
STN2NF10 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下能够安全运行。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
5. 稳定的工作温度范围,能够在恶劣环境中可靠运行。
6. 良好的热性能设计,有效散发热量以维持长期稳定性。
这些特性使得 STN2NF10 在各种电源管理应用中表现出色,例如适配器、充电器以及 DC/DC 转换器等。
STN2NF10 可广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如笔记本电脑适配器和手机充电器。
2. DC/DC 转换器,用于汽车电子系统和工业控制设备。
3. 电机驱动,适用于家用电器中的小型电机控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器,在照明应用中提供高效的电流调节。
由于其出色的电气特性和可靠性,这款功率 MOSFET 成为众多工程师在设计高性能电子系统时的首选元件。
STP16NF06L, IRF540N