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STN2NF10 发布时间 时间:2025/5/29 1:25:57 查看 阅读:11

STN2NF10 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款 N 沟道功率 MOSFET。这款器件采用 DPAK 封装,适合用于各种高效能开关应用中。该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,使其成为功率转换、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。
  STN2NF10 适用于高频率切换场景,并且其封装设计有助于改善散热性能,从而提升整体效率。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:8.7A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ
  栅极-源极电压:±20V
  总功耗:45W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

STN2NF10 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下能够安全运行。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  5. 稳定的工作温度范围,能够在恶劣环境中可靠运行。
  6. 良好的热性能设计,有效散发热量以维持长期稳定性。
  这些特性使得 STN2NF10 在各种电源管理应用中表现出色,例如适配器、充电器以及 DC/DC 转换器等。

应用

STN2NF10 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如笔记本电脑适配器和手机充电器。
  2. DC/DC 转换器,用于汽车电子系统和工业控制设备。
  3. 电机驱动,适用于家用电器中的小型电机控制。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. LED 驱动器,在照明应用中提供高效的电流调节。
  由于其出色的电气特性和可靠性,这款功率 MOSFET 成为众多工程师在设计高性能电子系统时的首选元件。

替代型号

STP16NF06L, IRF540N

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STN2NF10参数

  • 其它有关文件STN2NF10 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C260 毫欧 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-8023-6