STN2NE10 时间：2025/8/2 8:03:39 阅读：25

STN2NE10 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。它主要用于高频放大器和开关应用。这款晶体管的封装形式为SOT-23，适合用于需要高频性能和小型化设计的电路中。STN2NE10 设计用于在高频条件下提供良好的性能，因此在射频（RF）和通信设备中较为常见。

参数

晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件）
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

STN2NE10 具有优异的高频响应性能，这使得它非常适合用于射频（RF）放大器和高频开关电路。其SOT-23封装体积小巧，适合在高密度电路设计中使用。该晶体管的电流增益范围较宽（110-800），这意味着它可以在不同的工作条件下提供稳定的放大性能。此外，STN2NE10 的设计确保了较低的噪声系数，使其成为低噪声放大器应用的理想选择。
　　这款晶体管的工作温度范围宽，可以在-55°C至150°C之间正常工作，适应各种环境条件。其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，这使得它能够在中等功率的电路中可靠运行。STN2NE10 的高频特性得益于其内部结构设计，能够在250MHz的频率下保持良好的增益性能。

应用

STN2NE10 主要用于高频放大器、射频（RF）电路、开关电路以及通用放大器应用。由于其优异的高频性能和低噪声特性，它常用于通信设备、无线模块、音频放大器和传感器接口电路中。在射频应用中，STN2NE10 可以作为前置放大器或驱动放大器，提供信号的初步增强或驱动后续的功率放大级。此外，其小型化封装使其适合用于便携式电子设备和嵌入式系统中。