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STN1NF10L 发布时间 时间:2025/7/22 13:54:59 查看 阅读:6

STN1NF10L 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点。STN1NF10L 采用先进的沟槽栅技术,确保了在高频率开关应用中的优异性能。它广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理电路中。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):1.4A(在25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
  导通电阻(Rds(on)):1.5Ω @ Vgs=4.5V
  功率耗散(Pd):1.4W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-92

特性

STN1NF10L 具备多项优异特性,使其在众多电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的低功耗,提高了整体效率。在Vgs=10V时,Rds(on)为1.2Ω,而在Vgs=4.5V时仍保持在1.5Ω的水平,这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下运行,适用于低压微控制器或数字电路控制。
  其次,STN1NF10L的最大漏源电压为100V,具备较高的电压耐受能力,适用于多种中高压应用环境,如AC-DC电源、马达驱动和LED照明系统。其最大连续漏极电流为1.4A,在适当散热条件下可支持更高的电流需求。
  此外,该器件采用先进的沟槽栅技术,减少了开关损耗,并提高了高频开关应用中的性能表现。其TO-92封装形式小巧,便于在空间受限的设计中使用,同时也具备良好的热稳定性。STN1NF10L的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适应各种严苛环境下的应用需求。
  最后,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持从4.5V到10V的Vgs输入,增强了其与不同控制电路的兼容性。这使得它能够轻松与常见的微控制器或PWM控制器配合使用。

应用

STN1NF10L 主要应用于需要高效电源管理的场景。在DC-DC转换器中,它作为主开关器件,负责将输入电压转换为所需的输出电压,广泛用于便携式设备、嵌入式系统和工业控制设备中。在负载开关电路中,STN1NF10L用于控制电源的通断,实现对负载的精确控制,常用于电池管理系统、智能电表和自动化控制系统。
  此外,STN1NF10L也适用于LED照明驱动电路,作为调光或开关控制元件,提供稳定的电流控制。在AC-DC电源转换器中,该器件可用于次级侧同步整流,提高整体转换效率。其高电压耐受能力和良好的热性能也使其适合用于马达驱动电路、传感器供电系统和低功耗物联网设备。
  由于其封装小巧且性能稳定,STN1NF10L还被广泛用于消费类电子产品、车载电子系统和智能家居设备中。

替代型号

STN2NF10L, FDN100NZ, 2N7000, 2N7002, FDV301N

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