类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：1A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散(Pd)：最大2W（TO-252封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　极性：增强型
　　栅极电荷(Qg)：约6.5nC @ 10V
　　输入电容(Ciss)：约200pF @ 25°C

STN1N20-TR具备多项高性能特性，使其在多种功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用了Super Junction（超级结）结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其Rds(on)典型值为1.2Ω，在10V栅极驱动电压下可实现更低的功率损耗。
　　其次，该器件具有较高的击穿电压（200V），能够在高压环境下稳定工作，适用于多种开关电源拓扑结构，如反激式转换器、正激式转换器和LLC谐振转换器等。
　　此外，STN1N20-TR具有快速的开关速度，栅极电荷（Qg）仅为6.5nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体效率。其输入电容（Ciss）约为200pF，保证了良好的高频响应特性。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和PCB布局。最大功率耗散为2W，能够在较高工作温度下稳定运行。
　　最后，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应宽温度范围的应用环境，适用于工业控制、汽车电子和消费类电源系统等高可靠性要求的场合。

STN1N20-TR广泛应用于各类中低功率的电源管理系统中，适用于多种高效率电源转换拓扑结构。
　　首先，该MOSFET常用于AC-DC适配器、充电器和小型开关电源中，作为主开关或同步整流元件，提高系统能效并减少发热。
　　其次，在DC-DC转换器中，如降压（Buck）、升压（Boost）和反相（Buck-Boost）拓扑结构中，STN1N20-TR能够提供快速开关和低导通损耗，适用于电池供电设备、便携式电子产品和工业控制电源系统。
　　此外，该器件适用于LED照明驱动电路，作为恒流控制开关，确保LED光源的稳定性和长寿命。
　　在电机控制和继电器驱动应用中，STN1N20-TR能够承受一定的感性负载，适用于小型电机、电磁阀和继电器的驱动控制。
　　由于其封装形式适合表面贴装，该MOSFET也广泛用于自动化生产设备和紧凑型电子设备的电源模块中，如智能电表、智能家居控制器和工业传感器等。
　　总体而言，STN1N20-TR适用于要求高效、小体积和高可靠性的功率电子系统，是各类中低功率电源设计的理想选择。

STN1N20, STP1N20, STN2N20, 2SK2545, 2SK1171