时间：2024/4/3 15:14:23
阅读：387
STM8L051F3P6具有增强的STM8 CPU核心，提供了更高的处理能力(在16 MHz时高达16 MIPS)，同时保持了CISC架构的优势，提高了代码密度，24位线性寻址空间和低功耗操作的优化架构。STM8L051F3P6 MCU包括一个集成调试模块，具有硬件接口(SWIM)，允许非侵入式应用程序内调试和超快速Flash编程。它具有嵌入式数据EEPROM和低功耗、低电压、单电源程序闪存。STM8L051F3P6包含广泛的增强I/ o和外设，一个12位ADC，一个实时时钟，两个16位定时器，一个8位定时器，以及标准通信接口，如SPI, I2C接口和一个USART。 外设集的模块化设计允许该设备具有相同的外设，可以在不同的ST微控制器系列中找到，包括32位系列。这使得向不同家族的任何过渡都非常容易，还可以使用一组通用的开发工具来支持。
操作条件
—工作电源:1.8 V ~ 3.6 V温度范围:40℃~ 85℃
低功耗特性
—5种低功耗模式:等待、低功耗运行
(5.1 μ A)，低功耗等待(3 μ A)， RTC主动暂停(1.3 μ A)，暂停(350 nA)
—每I/O超低泄漏:50na
-从暂停中快速唤醒:5μs
先进的STM8核心
-哈佛架构和3级管道
—最大频率:16mhz，峰值16 CISC MIPS
—最多40个外部中断源
重置和供应管理
-低功耗，超安全的BOR复位与5个可选阈值
-超低功耗POR/PDR
-可编程电压检测器(PVD)
时钟管理
- 32 kHz和1至16 MHz晶体振荡器
-内部16 MHz工厂修剪RC
-内部38khz低消耗RC
-时钟安全系统
低功耗RTC
- BCD日历报警中断
-数字校准+/- 0.5 ppm精度
—LSE安全系统
-从暂停自动唤醒/周期性中断
记忆
- 8kbytes的Flash程序内存和
256字节数据EEPROM与ECC
—灵活的读写保护模式
—1kbyte内存
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | TSSOP-20 | 包装 | 盒 |
| 产品应用 | 超低功耗MCU | 核心处理器 | STM8 |
| 内核规格 | 8位 | 速度 | 16MHz |
| 连接能力 | I2C，IrDA，SPI，UART/USART | 外设 | 欠压检测/复位，DMA，IR，POR，PWM，WDT |
| I/O数 | 18 | 程序存储容量 | 8KB（8Kx8） |
| 程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | 256x8 |
| RAM大小 | 1Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.8V~3.6V |
| 数据转换器 | A/D10x12b | 振荡器类型 | 内部 |
| 工作温度 | -40°C~85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 基本产品编号 | STM8 | HTSUS | 8542.31.0001 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | ECCN | EAR99 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | REACH状态 | 非REACH产品 |
STM8L051F3P6原理图
STM8L051F3P6引脚图
STM8L051F3P6封装
STM8L051F3P6丝印
STM8L051F3P6料号解释
