时间：2024/4/8 16:35:20
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STM32L496VGY6PTR采用高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器，工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。STM32L496VGY6PTR嵌入了高速存储器(高达1兆字节的闪存，320千字节的SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(适用于100引脚及以上封装的设备)、Quad SPI闪存接口(可在所有封装上使用)以及连接到两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备，两个AHB总线和32位多AHB总线矩阵。STM32L496VGY6PTR为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。STM32L496VGY6PTR提供多达三个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、两个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。该设备支持用于外部∑-Δ调制器(DFSDM)的四个数字滤波器。
具有FlexPowerControl的超低功耗
—1.71 V ~ 3.6 V电源
- -40°C至85/125°C温度范围
—VBAT模式320na:供RTC和
32x32位备份寄存器
- 25na关机模式(5个唤醒引脚)
- 108 nA待机模式(5个唤醒引脚)
- 426na带RTC待机模式
- 2.57 μ A Stop 2模式，2.86 μ A Stop 2与RTC
- 91 μ A/MHz运行模式(LDO模式)
- 37 μA/MHz运行模式(3.3 V SMPS模式)
-批量采集模式(BAM)
-从停止模式唤醒5μs
—除关机外，所有模式下的Brown out reset (BOR)
-互连矩阵
?核心:Arm?32位Cortex?-M4 CPU与FPU，
自适应实时加速器(ART
加速器?)允许0等待状态执行
从闪存，频率高达80兆赫，
MPU, 100 DMIPS和DSP指令
?性能基准
- 1.25 DMIPS/MHz (Drystone 2.1)
- 273.55 Coremark?(3.42 Coremark/MHz在80 MHz)
?能源基准
- 279 ULPMark?CP评分
- 80.2 ULPMark?PP评分
?16个定时器:2x 16位高级电机控制，2x
32位和5x 16位通用，2x 16位
基本，2倍低功耗16位计时器(可在
停止模式)，2倍看门狗，SysTick定时器
RTC与HW日历，报警和校准
?最多136个快速I/ o，最多5 v耐受，最多14个
独立供电的I/ o降至1.08 V
?专用的Chrom-ART加速器
增强图形内容创建(DMA2D)
?8- 14位相机接口高达32 MHz(黑白)或10 MHz(彩色)
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 100-WLCSP（4.62x4.14） | 核心处理器 | ARM Cortex-M4 |
| 内核规格 | 32-位 | 速度 | 80MHz |
| 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SAI，SPI，SWPMI，UART/USART，USB OTG | 外设 | 欠压检测/复位，DMA，LCD，PWM，WDT |
| I/O数 | 83 | 程序存储容量 | 1MB（1M x 8） |
| 程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
| RAM大小 | 320K x 8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
| 数据转换器 | A/D 16x12b；D/A 2x12b | 振荡器类型 | 内部 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 基本产品编号 | STM32L496 | HTSUS | 8542.31.0001 |
| 产品应用 | 超低功耗MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | ECCN | 3A991A2 |
| REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32L496VGY6PTR原理图
STM32L496VGY6PTR引脚图
STM32L496VGY6PTR封装
STM32L496VGY6PTR丝印
STM32L496VGY6PTR料号解释
