时间：2024/4/12 17:32:37
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STM32H7系列STM32H7A3RGT6采用高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC内核，工作频率高达280 MHz。Cortex?-M7内核具有浮点单元(FPU)，支持Arm?双精度(符合IEEE 754)和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H7A3xI/G设备支持全套DSP指令和内存保护单元(MPU)，以增强应用程序的安全性。
STM32H7A3RGT6包含高速嵌入式存储器和高达2 MB的双组闪存，约1.4 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、1.18 MB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM)，以及连接到四个APB总线、三个AHB总线、一个或多个USB总线的大量增强型I/O和外围设备，32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
STM32H7A3RGT6提供两个ADC、两个DAC(一个双DAC和一个单DAC)、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、三个低功耗定时器、一个真随机数发生器(RNG)。该设备支持用于外部∑-Δ调制器(DFSDM)的九个数字滤波器。它们还具有标准和高级通信接口。
核心
32位ArmCortex-M7核心，双精度FPU和L1缓存:
16kbytes的数据和16kbytes的指令缓存，允许填充一个缓存
在单行访问从128位嵌入式闪存;频率了
到280 MHz, MPU, 599 DMIPS/ 2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，和DSP指令内存
高达2兆字节的闪存与读写支持，加上1千字节的OTP内存
~1.4兆字节的RAM: 192kbytes的TCM RAM(包括64kbytes的ITCM RAM + 128kbytes的DTCM RAM用于时间关键例程)，1.18兆字节的用户SRAM，和4kbytes的备份域SRAM
2个Octo-SPI内存接口，I/O多路复用，支持串行PSRAM/
NOR, Hyper RAM/flash帧格式，运行高达140兆赫在SRD模式和
DTR模式下高达110兆赫
灵活的外部存储器控制器，多达32位数据总线:
—SRAM, PSRAM, NOR闪存在同步模式下高达125mhz
- sdram / lpsdr sdram . sh
- 8/16位NAND闪存
CRC计算单元安全
ROP, PC-ROP，主动篡改，安全固件升级支持
通用输入/输出
多达168个I/O端口与中断能力
—可支持高达133 MHz的快速I/ o
—最多164个支持5v的I/ o，功耗低
停止:降至32 μ A与充分的RAM保留
待机:2.8μA(备份SRAM关闭，RTC/LSE打开，PDR关闭)
VBAT: 0.8μA (RTC和LSE ON)时钟管理
内部振荡器:64 MHz HSI, 48 MHz HSI48, 4 MHz CSI, 32 kHz LSI
外部振荡器:4-50 MHz HSE, 32.768 kHz LSE
3×锁相环(1为系统时钟，2为内核时钟)与分数模式
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用：PLC、逆变器、断路器
打印机和扫描仪
报警系统、视频对讲系统和HVAC
家用音频设备
移动应用程序、物联网
可穿戴设备：智能手表
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | LQFP-64 | 包装 | 托盘 |
| 产品应用 | 高性能MCU |
STM32H7A3RGT6原理图
STM32H7A3RGT6引脚图
STM32H7A3RGT6封装
STM32H7A3RGT6丝印
