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STM32H743XIH6 发布时间 时间:2024/4/7 17:53:19 查看 阅读:313

  STM32H743XIH6基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC内核,工作频率高达480 MHz。Cortex?-M7内核具有浮点单元(FPU),支持Arm?双精度(符合IEEE 754)和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H743XIH6支持全套DSP指令和内存保护单元(MPU),以增强应用程序的安全性。包含高速嵌入式存储器,具有高达2M字节的双组闪存、高达1M字节的RAM(包括192 KB的TCM RAM、高达864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM),以及连接到APB总线、AHB总线、,2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 提供三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器、一个真随机数发生器(RNG)。该设备支持用于外部∑-Δ调制器(DFSDM)的四个数字滤波器。它们还具有标准和高级通信接口。

基础介绍

  厂商型号:STM32H743XIH6

  品牌名称:ST(意法半导体)

  元件类别:MCU

  封装规格:TFBGA-240

  型号介绍:高性能ARM Cortex-M7

特点

  核心

  32位ArmCortex-M7核心,具有双精度FPU和L1缓存:16kbytes数据

  16kb的指令缓存;频率

  高达480兆赫,MPU, 1027 DMIPS/

  2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1), DSP

  指令

  记忆

  高达2mbytes的闪存与读写支持

  最大1 Mbyte的RAM: 192 Kbytes的TCM

  RAM (inc. 64 kb的ITCM RAM +

  128kbytes的DTCM RAM用于时间关键

  例程),高达864 Kbytes的用户SRAM,和

  备份域中的SRAM为4kbytes

  双模式四spi内存接口

  最高达133兆赫

  灵活的外部存储控制器,高达

  32位数据总线:SRAM, PSRAM,

  SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND闪存

  内存时钟高达100兆赫

  同步模式

  CRC计算单元

  安全

  ROP, PC-ROP,主动篡改

  通用输入/输出

  多达168个I/O端口,具有中断能力

  复位和电源管理

  3个独立的权力域

  独立计时的:独立计时或关闭的:

  —D1:高性能

  —D2:通信外围设备和定时器

  —D3:复位/时钟控制/电源管理

中文参数

商品分类MCU微控制器品牌ST(意法半导体)
封装TFBGA-240产品应用高性能MCU

原理图

STM32H743XIH6原理图

STM32H743XIH6原理图

引脚

STM32H743XIH6原理图

STM32H743XIH6引脚图

封装

STM32H743XIH6封装图

STM32H743XIH6封装

丝印

STM32H743XIH6丝印图

STM32H743XIH6丝印

料号解释

STM32H743XIH6料号解释图

STM32H743XIH6料号解释

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STM32H743XIH6图片

STM32H743XIH6

STM32H743XIH6参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥178.32000托盘
  • 系列STM32H7
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 核心处理器ARM? Cortex?-M7
  • 内核规格32 位单核
  • 速度480MHz
  • 连接能力CANbus,EBI/EMI,以太网,I2C,IrDA,LINbus,MDIO,MMC/SD/SDIO,QSPI,SAI,SPDIF,SPI,SWPMI,UART/USART,USB OTG
  • 外设欠压检测/复位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT
  • I/O 数168
  • 程序存储容量2MB(2M x 8)
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量-
  • RAM 大小1M x 8
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.62V ~ 3.6V
  • 数据转换器A/D 36x16b; D/A 2x12b
  • 振荡器类型内部
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳265-TFBGA
  • 供应商器件封装240+25-TFBGA(14x14)