时间：2024/4/8 16:19:14
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STM32H743IIK6基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC核心，工作频率高达480 MHz。Cortex?-M7核心具有浮点单元(FPU)，支持Arm?双精度(IEEE 754兼容)和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H742xI/G和STM32H743xI/G器件支持全套DSP指令和内存保护单元(MPU)，增强应用安全性。STM32H743IIK6结合了高速嵌入式存储器，具有高达2mbytes的双组闪存，高达1mbyte的RAM(包括192kbytes的TCM RAM，高达864kbytes的用户SRAM和4kbytes的备份SRAM)，以及广泛的增强I/ o和外设，连接到APB总线，AHB总线，2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部内存访问的多层AXI互连。STM32H743IIK6提供三个adc，两个dac，两个超低功耗比较器，一个低功耗RTC，一个高分辨率定时器，12个通用16位定时器，两个用于电机控制的PWM定时器，五个低功耗定时器，一个真随机数发生器(RNG)。STM32H743IIK6支持四个用于外部sigma-delta调制器(DFSDM)的数字滤波器。它们还具有标准和先进的通信接口。
32位Arm?Cortex?-M7核心，具有双精度FPU和L1缓存:16kbytes数据
16kb的指令缓存;频率
高达480兆赫，MPU, 1027 DMIPS/
2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)， DSP
指令
记忆
高达2mbytes的闪存与读写支持
最大1 Mbyte的RAM: 192 Kbytes的TCM
RAM (inc. 64 kb的ITCM RAM +
128kbytes的DTCM RAM用于时间关键
例程)，高达864 Kbytes的用户SRAM，和
备份域中的SRAM为4kbytes
双模式四spi内存接口
最高达133兆赫
灵活的外部存储控制器，高达
32位数据总线:SRAM, PSRAM，
SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND闪存
内存时钟高达100兆赫
同步模式
CRC计算单元
安全
ROP, PC-ROP，主动篡改
通用输入/输出
多达168个I/O端口，具有中断能力
复位和电源管理
3个独立的权力域
独立计时的:独立计时或关闭的:
—D1:高性能
—D2:通信外围设备和定时器
—D3:复位/时钟控制/电源管理
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | UFBGA-176+25 | 包装 | 整包装 |
STM32H743IIK6原理图
STM32H743IIK6引脚图
STM32H743IIK6封装
STM32H743IIK6丝印
STM32H743IIK6料号解释
