STM32G474CET6 时间：2024/4/15 17:14:43 阅读：220

STM32G474CET6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核。它们的工作频率高达170MHz。Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和一个增强应用程序安全性的存储器保护单元(MPU)。STM32G474CET6嵌入了高速存储器(512 KB的闪存和128 KB的SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器(FSMC)(适用于100引脚及以上封装的设备)、Quad SPI闪存接口以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。STM32G474CET6还为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、安全存储区域和专有代码读出保护。

STM32G474CET6嵌入了允许数学/算术函数加速的外围设备(CORDIC用于三角函数，FMAC单元用于滤波函数)。STM32G474CET6提供五个快速12位ADC(5 Msps)、七个比较器、六个运算放大器、七个DAC通道(3个外部和4个内部)、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、两个通用32位定时器、三个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器、一个16位低功耗定时器以及184 ps分辨率的高分辨率定时器。

基础介绍

　　厂商型号：STM32G474CET6

　　品牌名称：ST(意法半导体)

　　元件类别：MCU

　　封装规格：48-LQFP（7x7）

　　型号介绍：512 KB Flash存储器 32MCU

特点

　　核心：Arm?32位Cortex?-M4 CPU，带FPU，

　　自适应实时加速器(ART加速器)，允许0等待状态执行

　　来自闪存，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS、MPU、DSP指令

　　操作条件：

　　–VDD、VDDA电压范围：1.71 V至3.6 V

　　数学硬件加速器

　　–CORDIC用于三角函数加速

　　–FMAC：过滤数学加速器

　　记忆

　　–512 KB闪存，带ECC

　　支持，两个存储体读写，

　　专有代码读出保护

　　(PCROP)，安全存储区，1K字节OTP

　　–96 KB SRAM，具有硬件奇偶校验

　　在前32 KB上执行检查

　　–常规升压器：32 KB SRAM

　　指令和数据总线，带有硬件奇偶校验(CCM SRAM)

　　–用于静态的外部存储器接口

　　存储器FSMC支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器

　　–四路SPI存储器接口

　　重置和供应管理

　　–通电/断电复位(POR/PDR/BOR)

　　–可编程电压检测器(PVD)

　　–低功耗模式：睡眠、停止、待机和关机

　　–RTC和备份寄存器的VBAT电源

　　时钟管理

　　–4至48 MHz晶体振荡器

　　–32 kHz振荡器，带校准

　　–内部16 MHz RC，带PLL选项(±1%)

　　–内部32 kHz RC振荡器(±5%)

　　多达107个快速I/O

　　–所有可映射到外部中断向量

　　–几个具有5 V耐受能力的I/O

　　互连矩阵

　　16通道DMA控制器

　　5 x 12位ADC 0.25μs，最多42个通道

　　硬件分辨率高达16位

　　过采样，0至3.6V转换范围

　　7 x 12位DAC通道

　　–3个缓冲外部通道1 MSPS

　　–4个无缓冲内部通道15 MSPS

　　7个超快轨对轨模拟比较器

　　6个运算放大器，可用于

　　PGA模式，所有终端均可访问

　　内部电压参考缓冲器(VREFBUF)支持三个输出电压(2.048V、2.5V、2.9V)

中文参数

商品分类	MCU微控制器	品牌	ST(意法半导体)
封装	48-LQFP（7x7）	包装	托盘
核心处理器	ARM Cortex-M4F	内核规格	32-位
速度	170MHz	连接能力	CANbus，I2C，IrDA，LINbus，QSPI，SPI，UART/USART
外设	欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT	I/O数	38
程序存储容量	512KB（512K x 8）	程序存储器类型	闪存
EEPROM容量	-	RAM大小	128K x 8
电压-供电(Vcc/Vdd)	1.71V ~ 3.6V	数据转换器	A/D 20x12b; D/A 7x12b
振荡器类型	内部	工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	基本产品编号	STM32
HTSUS	8542.31.0001	产品应用	高性能MCU