时间：2024/4/3 14:57:19
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STM32F730R8T6基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC核心，工作频率高达216 MHz。Cortex?-M7核心具有单一浮点单元(SFPU)精度，支持Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU)，增强了应用程序的安全性。 STM32F730R8T6集成了高速嵌入式存储器，具有64kbytes闪存，256kbytes SRAM(包括64kbytes数据TCM RAM用于关键实时数据)，16kbytes指令TCM RAM(用于关键实时例程)，最低功耗模式下可用的4kbytes备份SRAM，以及广泛的增强I/ o和外设连接到两个APB总线，两个AHB总线，32位多ahb总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 STM32F730R8T6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC, 13个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用32位定时器，一个真随机数发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。
?核心:Arm?32位Cortex?-M7 CPU与FPU，
自适应实时加速器(ART
加速器?)和L1-cache: 8kbytes的数据
缓存和8kb的指令缓存，
允许从嵌入式执行0等待状态
闪存和外部存储器，
频率高达216 MHz, MPU，
462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
和DSP指令。
?记忆
- 64kbytes的闪存保护
机制(读写保护，
专有代码读出保护
(PCROP))
—528字节OTP内存
—SRAM: 256kbytes(含64kbytes内存)
数据TCM内存用于关键实时数据)+
16千字节的指令TCM RAM(用于
关键实时例程)+ 4 kb的
备份SRAM(可在最低
电源模式)
-灵活的外部存储控制器与up
到32位数据总线:SRAM, PSRAM，
Sdram / lpsdr Sdram, nor / nand
记忆
?双模式Quad-SPI
时钟，重置和供应管理
- 1.7 V至3.6 V应用电源和I/ o
- POR, PDR, PVD和BOR
-专用USB电源
- 4- 26 MHz晶体振荡器
-内部16mhz工厂修剪RC (1%
准确性)
- 32 kHz振荡器的RTC校准
-内部32 kHz RC校准
?低功耗
-睡眠、停止和待机模式
VBAT提供RTC, 32×32位备份
寄存器+ 4千字节的备份SRAM
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | LQFP-64 | 包装 | 托盘 |
| 产品应用 | 通用类MCU | 核心处理器 | ARMCortex-M7 |
| 内核规格 | 32-位 | 速度 | 216MHz |
| 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SAI，SPI，UART/USART，USB | 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT |
| I/O数 | 50 | 程序存储容量 | 64KB（64Kx8） |
| 程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
| RAM大小 | 256Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.7V~3.6V |
| 数据转换器 | A/D16x12b；D/A2x12b | 振荡器类型 | 内部 |
| 工作温度 | -40°C~85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 基本产品编号 | STM32F730 | HTSUS | 8542.31.0001 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168小时） | ECCN | 5A992C |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
STM32F730R8T6原理图
STM32F730R8T6引脚图
STM32F730R8T6封装
STM32F730R8T6丝印
STM32F730R8T6料号解释
