时间：2024/4/12 17:31:01
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STM32F429VGT6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核，工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。
STM32F429VGT6包含高速嵌入式存储器(闪存高达2M字节，SRAM高达256 KB)、高达4
KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。STM32F429VGT6提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器)、两个通用32位定时器。它们还具有标准和高级通信接口。
内核：带有 FPU 的 ARM? 32 位 Cortex?-M4
CPU、在 Flash 存储器中实现零等待状态运行
性能的自适应实时加速器 (ART 加速器 ?)、
主频高达 180MHz， MPU，能够实现高达
225DMIPS/1.25DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
的性能，具有 DSP 指令集。
存储器
– 高达2 MB Flash，组织为两个区，可读写同步
– 高达256+4 KB的SRAM，包括64-KB的CCM
(内核耦合存储器)数据 RAM
– 具有高达 32 位数据总线的灵活外部存储控制
器：SRAM、 PSRAM、 SDRAM/LPSDR
SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器
LCD 并行接口，兼容 8080/6800 模式
LCD-TFT 控制器有高达 XGA 的分辨率，具有专
用的 Chrom-ART Accelerator?，用于增强的图
形内容创建 (DMA2D)
时钟、复位和电源管理
– 1.7 V 到 3.6 V 供电和 I/O
– POR、 PDR、 PVD 和 BOR
– 4 至 26 MHz 晶振
– 内置经工厂调校的 16 MHz RC 振荡器
(1% 精度)
– 带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器
– 内置带校准功能的 32 kHz RC 振荡器
低功耗
– 睡眠、停机和待机模式
– VBAT 可为 RTC、20×32 位备份寄存器 + 可选
的 4 KB 备份 SRAM 供电
3 个 12 位、2.4 MSPS ADC：多达 24 通道，三重
交叉模式下的性能高达 7.2 MSPS
2 个 12 位 D/A 转换器
通用DMA：具有FIFO和突发支持的16路DMA控
制器
多达17个定时器：12个16位定时器，和2个频率
高达 180 MHz 的 32 位定时器，每个定时器都
带有 4 个输入捕获 / 输出比较 /PWM，或脉冲计
数器与正交 ( 增量 ) 编码器输入
调试模式
– SWD & JTAG 接口
– Cortex-M4 跟踪宏单元 ?
多达 168 个具有中断功能的 I/O 端口
– 高达 164 个快速 I/O，最高 90 MHz
– 高达 166 个可耐 5 V 的 I/O
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | LQFP-100_14x14x05P | 包装 | 托盘 |
| 产品应用 | 通用类MCU | 核心处理器 | ARMCortex-M4 |
| 内核规格 | 32-位 | 速度 | 180MHz |
| 连接能力 | CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART，USBOTG | 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT |
| I/O数 | 82 | 程序存储容量 | 1MB（1Mx8） |
| 程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
| RAM大小 | 256Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.8V~3.6V |
| 数据转换器 | A/D16x12b；D/A2x12b | 振荡器类型 | 内部 |
| 工作温度 | -40°C~85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 基本产品编号 | STM32F429 | HTSUS | 8542.31.0001 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168小时） | ECCN | 3A991A2 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | REACH状态 | 非REACH产品 |
STM32F429VGT6原理图
STM32F429VGT6引脚图
STM32F429VGT6封装
STM32F429VGT6丝印
STM32F429VGT6料号解释
