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STM32F303RET6 发布时间 时间:2024/4/2 16:00:46 查看 阅读:141

STM32F303RET6基于高性能ARM?Cortex?-M4 32位RISC内核,FPU工作频率为72 MHz,嵌入浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元(ETM)。该系列包含高速嵌入式存储器(512 KB闪存、80 KB SRAM)、用于静态存储器(SRAM、PSRAM、NOR和NAND)的灵活存储器控制器(FSMC),以及连接到AHB和两条APB总线的广泛增强型I/O和外围设备。

特点

  核心:ARM?Cortex?-M4 32CPU,带72 MHz FPU、单周期乘法和HW除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)

  操作条件:

    VDDVDDA电压范围:2.0 V3.6 V

  回忆

    高达512 KB的闪存

    64K字节的SRAM,在前32K字节上实现HW奇偶校验。

    例程增强器:指令和数据总线上的16 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM

    用于静态存储器的灵活存储器控制器(FSMC),带四个芯片选择

  CRC计算单元

  重置和供应管理

    通电/断电复位(POR/PDR

    可编程电压检测器(PVD

    低功耗模式:睡眠、停止和待机

    用于RTC和备份寄存器的VBAT电源

  时钟管理

    432 MHz晶体振荡器

    32 kHz振荡器,用于带校准的RTC

    内部8 MHz RC,带x 16 PLL选项

    内部40 kHz振荡器

中文参数

商品分类MCU微控制器品牌ST(意法半导体)
封装LQFP-64_10x10x05P包装托盘
产品应用消费级核心处理器ARMCortex-M4
内核规格32-位速度72MHz
连接能力CANbus,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB外设DMA,I2S,POR,PWM,WDT
I/O数51程序存储容量512KB(512Kx8)
程序存储器类型闪存EEPROM容量-
RAM大小80Kx8电压-供电(Vcc/Vdd)2V~3.6V
数据转换器A/D22x12b;D/A2x12b振荡器类型内部
工作温度-40℃~85℃(TA)安装类型表面贴装型
基本产品编号STM32F303HTSUS8542.31.0001

环境与出口分类

湿气敏感性等级(MSL)3(168小时)ECCN3A991A2
RoHS状态符合ROHS3规范REACH状态非REACH产品

原理图

STM32F303RET6原理图

STM32F303RET6原理图

引脚

STM32F303RET6原理图

STM32F303RET6引脚图

封装

STM32F303RET6封装图

STM32F303RET6封装

丝印

STM32F303RET6丝印图

STM32F303RET6丝印

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STM32F303RET6

STM32F303RET6参数

  • 现有数量761现货
  • 价格1 : ¥90.15000托盘
  • 系列STM32F3
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 核心处理器ARM? Cortex?-M4
  • 内核规格32 位单核
  • 速度72MHz
  • 连接能力CANbus,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB
  • 外设DMA,I2S,POR,PWM,WDT
  • I/O 数51
  • 程序存储容量512KB(512K x 8)
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量-
  • RAM 大小80K x 8
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)2V ~ 3.6V
  • 数据转换器A/D 22x12b; D/A 2x12b
  • 振荡器类型内部
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LQFP
  • 供应商器件封装64-LQFP(10x10)