STM32F207IGH6J基于高性能ARM Cortex-M3 32位RISC内核,工作频率高达120MHz;包含高速嵌入式存储器(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM,以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备,三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。该器件还具有自适应实时内存加速器(ARTAccelerator),可在CPU频率上升时实现相当于从闪存执行0等待状态程序的性能到120MHz。它们还具有标准和高级通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强型灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚及以上封装的设备)和用于CMOS传感器的相机接口。这些设备还具有标准外围设备。
产品型号 | STM32F207IGH6J |
描述 | IC MCU 32BIT 1MB闪存64WLCSP |
分类 | 集成电路(IC),嵌入式-微控制器 |
制造商 | STMicroelectronics |
系列 | STM32F2 |
电压-电源(Vcc / Vdd) | 1.8V?3.6V |
工作温度 | -40°C?85°C(TA) |
包装/箱 | 64-UFBGA,WLCSP |
供应商设备包装 | 64-WLCSP |
基本零件号 | STM32F207 |
STM32F207IGH6J
产品种类 | ARM微控制器 - MCU |
系列 | STM32F207IG |
零件状态 | 活性 |
核心架构 | ARM |
数据总线宽度 | 32 b |
频率 | 120兆赫 |
最大频率 | 120兆赫 |
最大耗散功率 | 526兆瓦 |
最大电源电压 | 3.6伏 |
记忆体大小 | 1兆字节 |
记忆体类型 | FLASH |
最小电源电压 | 1.8伏 |
I / O数量 | 140 |
可编程I / O数量 | 140 |
计时器/计数器数量 | 14 |
振荡器类型 | 内部 |
内存大小 | 132 kb |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 托盘 |
封装 / 箱体 | BGA-176 |
周边设备 | 欠压检测/复位,DMA,LCD,POR,PWM,WDT |
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小时) |
150 DMIPS / 1.25 DMIPS / MHz(Dhrystone 2.1)
LCD并行接口,8080/6800模式
4至26MHz晶体振荡器
16MHz内部出厂调整的RC
用于校准的RTC的32kHz振荡器
具有校准的32kHz内部RC
睡眠,停止和待机模式
用于RTC的VBAT电源,20个32位备份寄存器和可选的4kB备份SRAM
调试模式-串行线调试(SWD),JTAG和Cortex-M3嵌入式跟踪macrocell?
2个CAN接口(2.0B有效)
SDIO接口
具有片上PHY的USB 2.0全速设备/主机/ OTG控制器
具有专用DMA,片上PHY和ULPI的USB 2.0高速/全速设备/主机/ OTG控制器
具有专用DMA的10/100以太网MAC-支持IEEE 1588v2硬件,MII / RMII
8至14位并行摄像头接口(最大48MB)
96位唯一ID
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电机驱动和控制
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