STL7DN6LF3 时间：2025/7/22 13:46:41 阅读：10

STL7DN6LF3 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道结构，适用于高功率开关和电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：70A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻RDS(on)：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压VGS(th)：2.5V至4V
　　最大栅极电压：±20V
　　封装类型：D2PAK（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

STL7DN6LF3 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流处理能力（额定漏极电流70A）使其适用于大功率负载的控制。此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅结构，提升了开关性能，减少了开关损耗。
　　其D2PAK封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产和散热管理。器件还具备高雪崩能量耐受能力，提高了在瞬态过压情况下的可靠性。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作，适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等严苛环境。

应用

STL7DN6LF3 广泛应用于多个高功率电子系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为电源管理模块和汽车电子中理想的功率开关器件。此外，该MOSFET也常用于服务器电源、工业自动化设备和智能电表等需要高效率和高可靠性的场景。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也发挥着重要作用。