型号：STL7060
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：70 V
　　最大连续漏极电流（ID）：48 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：190 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：典型值8.5 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 24 A
　　RDS(on) 测试条件：VGS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值45 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：典型值2300 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值45 ns
　　阈值电压（Vth）：典型值3.0 V，范围2.0~4.0 V
　　功耗（PD）：最大200 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装：DPAK (TO-252)
　　极性：N-Channel
　　配置：单通道

STL7060采用ST先进的SuperFOSET?制造工艺，结合了深沟槽栅结构与优化的场截止层设计，显著降低了导通损耗和开关损耗。其超低的导通电阻RDS(on)可达到8.5mΩ（典型值），在大电流输出场景下有效减少I2R损耗，提高系统能效。这种低RDS(on)特性使其非常适合用于同步整流、负载开关以及高密度电源模块中。
　　该器件具备出色的动态性能，拥有较低的栅极电荷（Qg = 45nC）和米勒电荷（Qgd），从而减少了驱动电路的能量消耗并加快了开关速度，有助于实现高频操作下的高效转换。同时，其输入电容（Ciss）约为2300pF，在保证快速响应的同时避免了过高的驱动功率需求，适合搭配常见的PWM控制器使用。
　　STL7060还具备优良的热性能，DPAK封装提供了良好的散热路径，使器件能在高温环境下稳定运行。其最大结温可达175°C，支持严苛工业环境中的长期可靠工作。此外，该MOSFET经过优化设计，具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定的重复性能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　在安全方面，STL7060集成了多项保护机制，包括过温关断预警、短路耐受能力等，配合外部电路可构建更加安全可靠的电源管理系统。其±20V的栅源电压耐受范围也提升了对意外电压波动的容忍度，降低因栅极过压导致损坏的风险。总体而言，STL7060是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适用于追求高效率与高可靠性的现代电子系统。

STL7060广泛应用于各类中低功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源单元和服务器电源中的初级或次级侧开关元件；在DC-DC降压变换器（Buck Converter）中作为主控开关管，利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率；也可用于电池供电系统中的电源管理模块，例如便携式医疗设备、电动工具和无人机电源系统，以延长续航时间。
　　在电机驱动领域，STL7060可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用，提供高效的电流控制能力。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保在频繁启停或堵转工况下仍能安全运行。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，特别是在恒流源拓扑中作为调节开关，帮助实现精准的光输出控制。在工业自动化控制系统中，STL7060可用作固态继电器替代方案或负载开关，用于控制加热元件、电磁阀或其他执行机构的通断。
　　由于其符合RoHS标准且具备高可靠性，STL7060也被广泛用于汽车电子辅助系统，如车载充电器、车灯控制模块和车身控制单元等非关键动力系统中。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的应用场景，STL7060均是一个理想的选择。

STL7060P
　　IPD70P03P4L1ATMA1
　　FDS6680A
　　IRLB8743