时间：2025/7/1 0:29:07
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STL45N10F7AG是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道MOSFET，属于MDmesh? M6技术系列。该器件具有低导通电阻和高雪崩能力，适用于需要高效能和可靠性的开关应用。其封装形式为TO-220AC，适合在高功率密度的电路中使用。
STL45N10F7AG主要应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及其他需要高效开关性能的场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：45A
导通电阻：3.9mΩ
栅极电荷：118nC
开关时间：ton=12ns, toff=28ns
结温范围：-55℃至+175℃
STL45N10F7AG采用了先进的MDmesh?技术，能够显著降低导通电阻的同时提高热稳定性。此外，该器件还具备以下特点：
1. 高雪崩能量能力，增强系统可靠性。
2. 超低的导通电阻有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 符合RoHS标准，环保设计。
5. 具有优异的热性能，确保长时间稳定运行。
这些特性使得STL45N10F7AG非常适合用于高效率、高可靠性的电力电子设备。
STL45N10F7AG广泛应用于各种工业和消费类电子产品中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和电源管理。
3. 电机驱动，支持高效的电机控制。
4. 太阳能逆变器，实现光伏能源转换。
5. 电池管理系统（BMS），用于电动汽车或储能系统。
其高性能和可靠性使其成为许多关键应用的理想选择。
STL40N10F7, STL50N10F7
