您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STL42P6LLF6

STL42P6LLF6 发布时间 时间:2025/5/12 9:21:33 查看 阅读:18

STL42P6LLF6是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用LFPAK封装,适用于高效率、低功耗的应用场景。其设计优化了导通电阻和开关性能,使其在各种电源管理应用中表现出色。STL42P6LLF6具有较低的导通电阻和良好的热性能,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场合。
  STL42P6LLF6通过先进的制造工艺实现了高性能和可靠性,并且符合RoHS标准,支持环保要求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:245pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

STL42P6LLF6具备出色的电气特性和机械性能。它采用了LFPAK5x6封装,这种封装形式不仅减小了芯片尺寸,还增强了散热能力。其低导通电阻能够有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,从而减少了开关损耗。
  该MOSFET在高温环境下依然可以保持稳定的性能,这得益于其优异的热稳定性设计。同时,STL42P6LLF6内置了ESD保护功能,提高了抗静电能力,确保在复杂环境下的可靠性。
  其他显著特性包括:
  - 超低导通电阻以实现更高的效率
  - 快速开关能力,减少动态损耗
  - 高电流承载能力
  - 符合AEC-Q101认证(汽车级版本可选)
  - 环保无铅封装

应用

STL42P6LLF6广泛应用于各类高效能需求的电子产品中,主要领域包括:
  1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器
  2. 汽车电子系统中的负载开关和电机控制
  3. 工业设备中的电机驱动与电源管理
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路
  5. 多相VRM(电压调节模块)设计
  6. 通信基础设施中的信号处理单元
  由于其卓越的性能和紧凑的封装形式,STL42P6LLF6成为现代电力电子设计的理想选择。

替代型号

STL45P6LLF6, IRFZ44N, FDP55N06L

STL42P6LLF6推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STL42P6LLF6资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STL42P6LLF6参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥15.18000剪切带(CT)3,000 : ¥6.96422卷带(TR)
  • 系列STripFET? F6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)42A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)26 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3780 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN