时间：2025/12/23 22:51:14
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STL38N65M5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压功率MOSFET，属于MDmesh? M5技术系列。这款器件采用N沟道设计，额定电压为650V，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及PFC（功率因数校正）电路等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的雪崩能力，能够满足高功率密度和高效能需求的电力电子系统。
STL38N65M5利用先进的MDmesh技术优化了栅极电荷与导通电阻之间的权衡，从而显著降低了开关损耗并提高了整体性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：11.4A
导通电阻（典型值）：370mΩ
栅极电荷：109nC
输入电容：1720pF
总耗散功率：16W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-220
STL38N65M5具有以下主要特性：
1. 额定电压高达650V，适合高压应用环境。
2. 导通电阻低至370mΩ（典型值），有助于降低传导损耗。
3. 栅极电荷较低，仅为109nC，可以实现快速开关操作，减少开关损耗。
4. 输入电容为1720pF，优化了动态性能。
5. 具备优异的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下安全运行。
6. 支持高温工作，最高结温可达175℃，适应严苛的工作环境。
7. 封装形式为标准TO-220，便于安装和散热管理。
STL38N65M5适用于多种高压功率转换场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器，例如隔离式和非隔离式变换器。
3. 功率因数校正（PFC）电路，提升电网效率。
4. 工业设备中的电机驱动控制。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
6. 各种需要高压开关功能的家电产品。
STL38N65M4
STL38N65M6
IRFP460
FQA130P
IXTH40N65B
