时间：2025/7/23 16:54:53
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STL25N15F4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高功率的应用场景。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和高开关性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池充电系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ @ Vgs=10V
栅极电压范围：-20V ~ +20V
最大功耗：160W
封装形式：TO-220、D2PAK等
STL25N15F4 具有低导通电阻（Rds(on)），在10V的栅极驱动电压下可达到65mΩ，这显著降低了导通损耗并提高了整体系统效率。
其高电流承载能力使其适用于高功率应用，如电源转换器和电机驱动器。
该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，提升了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
STL25N15F4的封装形式（如TO-220和D2PAK）提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
此外，该器件具有较高的耐用性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。
STL25N15F4 常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制电路。
其高效率和低导通电阻特性使其成为需要高效能功率管理的电路设计的理想选择。
在电源转换器中，该MOSFET可作为主开关元件，用于提高转换效率和降低功耗。
在电机控制和负载开关应用中，STL25N15F4能够提供稳定的高电流输出，确保设备的可靠运行。
此外，该器件也可用于LED照明、UPS系统、太阳能逆变器等高功率电子设备中。
STP25N15F4、IRF250、IXFH25N150、SiHF4N150
