STK2NA60 时间：2025/8/11 17:56:50 阅读：17

STK2NA60是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压(Vds)：600V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：2.0A（在25°C）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻(Rds(on))：约1.5Ω（最大值）
　　封装类型：TO-220
　　漏极-源极电容(Coss)：约70pF

特性

STK2NA60具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它具有较高的漏极-源极击穿电压，达到600V，可以承受较高的电压应力，适用于高压环境下的工作。其次，其导通电阻较低，在2.0A工作电流下能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于减少开关损耗，提高开关速度。STK2NA60还具备良好的热稳定性和过热保护能力，可在高负载条件下保持稳定运行。其采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于多种标准电路板布局。STK2NA60的结构设计优化了雪崩能量耐受能力，使其在突发高压情况下仍能保持可靠性。

应用

STK2NA60广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制电路、照明系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备。此外，它也适用于家用电器、电动工具和电源管理模块中。由于其高电压和良好的导通性能，STK2NA60常被用于需要高压开关和中等功率处理能力的场合。