时间：2025/11/4 2:40:05
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STK16C88-WF45I是一款由Renesas Electronics（原为STMicroelectronics设计，后归入Renesas产品线）生产的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件将高速SRAM与非易失性存储技术相结合，能够在断电情况下自动将SRAM中的数据保存到内部集成的EEPROM或非易失性存储单元中，从而确保关键数据不会因电源中断而丢失。该芯片采用45纳秒的快速访问时间，适合需要高可靠性、实时数据保护和频繁写入操作的应用场景。STK16C88-WF45I封装形式为450-mil 28引脚DIP（双列直插式封装），并内置锂电池监控电路和数据保护机制，防止在电源不稳定时发生误写操作。其工作温度范围为工业级-40°C至+85°C，适用于严苛环境下的嵌入式系统应用。该器件广泛用于通信设备、工业控制、医疗仪器和金融终端等对数据完整性要求极高的领域。
类型：NVSRAM
密度：8 Kbit (1K x 8)
组织结构：1024 字节 x 8 位
访问时间：45 ns
供电电压：4.5V 至 5.5V
工作电流：典型值 70 mA（读取模式）
待机电流：最大值 2 mA
写保护功能：支持硬件写保护（通过 VCC 检测）
数据保存时间：非易失性数据保持 ≥ 10 年
写周期耐久性：> 1,000,000 次
封装类型：28-pin DIP (450-mil)
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
非易失性存储写入触发方式：自动存储（基于 Power-Down 检测）
数据恢复时间：≤ 20 μs（上电后自动恢复）
STK16C88-WF45I的核心特性之一是其集成了SRAM与非易失性存储技术，实现了高速读写与断电数据保持的完美结合。其内部结构包含一个标准的8位并行接口SRAM阵列以及一个配套的非易失性存储模块，通常使用EEPROM或特殊电容耦合结构来实现数据备份。当系统检测到主电源下降至预设阈值以下时，芯片会自动启动“STORE”操作，将SRAM中的全部内容复制到非易失性存储区域，整个过程无需外部控制器干预，极大提高了系统的可靠性和响应速度。
该器件具备自动存储（AutoStore）和软件发起存储（Software Store）两种数据保存模式。AutoStore由内部电压监测电路触发，在VCC跌落到4.5V以下时立即执行数据保存；而Software Store则允许用户通过特定的地址写入序列主动发起存储操作，便于在正常运行期间进行有计划的数据持久化。此外，还支持Hardware Restore功能，即在下次上电时自动将非易失性存储区的数据恢复回SRAM，确保系统重启后能快速进入上次断电前的状态。
为了防止意外写入或数据损坏，STK16C88-WF45I集成了全面的写保护机制。这包括VCC监视电路，当电源电压低于安全阈值时，自动禁止所有写操作，并锁定存储器阵列。同时，芯片支持BYTE/REGISTER级别的写保护控制，允许对部分地址空间进行保护。其高速45ns的访问时间使其能够无缝替代标准SRAM，满足高性能微处理器系统的总线时序要求。
该器件采用工业标准的28引脚DIP封装，便于手工焊接和维护，特别适合用于原型开发、工业设备升级和长寿命产品设计。由于其内置锂电池替代技术（如SuperCap或PowerPad），避免了外接电池带来的体积大、寿命短和环保问题，提升了系统集成度和可靠性。
STK16C88-WF45I主要应用于需要高可靠性数据存储和断电保护的关键系统中。在工业自动化控制系统中，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）中保存实时运行参数、工艺配置和故障日志，确保即使突发断电也不会丢失重要生产数据。在通信基础设施设备如路由器、交换机和基站控制器中，该芯片可用于缓存路由表、配置信息和状态变量，保障网络设备重启后能迅速恢复服务。
在医疗电子设备中，例如病人监护仪、影像处理系统和诊断仪器，STK16C88-WF45I可用于记录患者治疗参数、设备校准数据和操作历史，满足医疗行业对数据完整性和追溯性的严格要求。金融终端设备如POS机、ATM和票据打印机也广泛采用此类NVSRAM，以确保交易记录、账单明细和加密密钥在掉电时不丢失，符合金融安全规范。
此外，该芯片还适用于测试测量仪器、航空航天电子系统、军事装备和智能仪表等领域。这些应用场景普遍具有长时间连续运行、环境恶劣、维护困难等特点，因此对存储器的耐用性、抗干扰能力和数据安全性提出了极高要求。STK16C88-WF45I凭借其无电池设计、百万次写入寿命和快速恢复能力，成为传统带电池SRAM的理想替代方案，显著降低系统维护成本并提升整体可靠性。
CY14B108J-45LXI
ABOX080MA-45SI
DS1687S-45+T&R
FM1808-S-45A
LTC1797CMS8E#PBF
