型号：STK14C883NF45I
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：NVSRAM（非易失性 SRAM）
　　存储容量：8 Mbit (512K × 16)
　　接口类型：并行
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　最大访问时间：45 ns
　　封装类型：44-pin TSOP II
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　非易失性存储耐久性：> 10^6 次存取/存储周期
　　数据保持时间（非易失性）：典型值 20 年 @ +75°C
　　自存储（AutoStore）功能：支持
　　电源管理：支持低功耗待机模式
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护
　　总线宽度：16 位

STK14C883NF45I 的核心优势在于其将高速 SRAM 的读写性能与非易失性存储的持久性完美结合。其内部结构包含一个 512K × 16 的高速静态 RAM 阵列和一个配套的非易失性存储模块（通常基于铁电或 EEPROM 技术，但在此器件中为专用的非易失性单元）。当系统正常运行时，该芯片的行为完全等同于一个标准的异步 SRAM，支持快速的随机读写操作，最大访问时间为 45ns，满足高性能嵌入式系统的需求。所有地址和数据传输通过并行总线完成，具有 CE#（片选）、OE#（输出使能）和 WE#（写使能）控制信号，符合工业标准的 SRAM 控制逻辑，因此可以无缝替换现有设计中的普通 SRAM 芯片。
　　该器件集成了先进的电源监控电路，能够实时检测 VCC 电压水平。一旦检测到电源电压跌落到预设阈值（约 4.5V），芯片会立即启动 AutoStore 过程，将当前 SRAM 中的所有数据自动复制到非易失性存储区域。此过程由内部电荷泵提供能量支持，无需外部电池或超级电容。同时，用户也可以通过触发 STORE 引脚来手动执行存储操作，实现精确的数据保存控制。在上电过程中，Power-Up Restore 功能会自动将上次保存的非易失性数据重新载入 SRAM，确保系统重启后能恢复到断电前的状态。
　　为了延长非易失性存储单元的寿命，STK14C883NF45I 内部采用了磨损均衡和写入优化算法，使得每个存储单元的擦写次数分布更加均匀。其非易失性写入耐久性可达百万次以上，远高于传统的 EEPROM 或 Flash 存储器。此外，该芯片具备出色的抗干扰能力和高可靠性，能够在恶劣的电磁环境和宽温范围内稳定工作。所有控制引脚均具备静电放电（ESD）保护，提高了现场使用的鲁棒性。由于其无电池设计，不仅降低了维护成本，也符合绿色环保的要求，避免了电池泄漏或更换带来的风险。

STK14C883NF45I 被广泛用于各种需要高可靠性数据存储的工业和商业领域。在工业自动化控制系统中，常用于保存 PLC（可编程逻辑控制器）的运行参数、工艺配方和故障日志，确保在突发断电后仍能快速恢复生产流程。在通信基础设施中，如路由器、交换机和基站设备，该芯片可用于缓存配置信息和运行状态，提升设备的容错能力和服务连续性。金融终端设备，例如 ATM 机、POS 收银机和票据打印机，利用其快速写入和掉电保护特性，保障交易数据的安全性和完整性，防止因意外断电导致的资金损失或账目混乱。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、影像设备和诊断仪器，STK14C883NF45I 可用于记录患者治疗参数、设备校准数据和操作历史，满足医疗行业对数据追溯和合规性的严格要求。航空航天与国防系统中，该器件因其宽温工作能力和高可靠性，被应用于飞行记录仪、雷达系统和导航设备中，作为关键数据的临时存储介质。此外，在测试与测量仪器、智能电表、轨道交通控制系统等对数据安全性要求极高的场合，该 NVSRAM 提供了一种无需电池、免维护且高性能的解决方案，有效替代了传统带电池的 SRAM（BBSRAM）方案，简化了系统设计并提升了长期稳定性。

CY14MB08M-SX45SXI