型号：STK12C68-C45I
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储类型：NVSRAM（非易失性 SRAM）
　　容量：64 Kbit (8K x 8)
　　接口类型：并行
　　访问时间：45 ns
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　工作电流：典型值 70mA（读取模式）
　　待机电流：最大 1mA
　　非易失性写入时间：典型 15ms
　　数据保持时间（断电后）：最小 10 年
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：28-DIP 或 28-SOIC
　　引脚数：28
　　是否含电池：是（内置锂电）
　　写保护功能：有（硬件 WP 引脚）
　　自动存储触发方式：Power-down detection circuitry

STK12C68-C45I 的核心特性在于其集成了高性能 SRAM 和非易失性存储单元于一体的架构设计，使其在保留 SRAM 快速读写能力的同时具备断电数据保存的能力。该芯片内部包含一个专用的电源检测电路，能够实时监控供电电压的变化。当检测到主电源电压下降至预设阈值以下时，芯片会立即启动自动存储（Autostore）过程，将 SRAM 中的所有数据安全地复制到内置的 EEPROM 存储区。这一过程完全由芯片内部控制逻辑完成，无需微处理器干预，极大提升了系统的响应速度和可靠性。
　　在系统重新上电时，STK12C68-C45I 会自动执行恢复（Recall）操作，将之前保存在 EEPROM 中的数据重新加载回 SRAM，从而实现“零延迟”数据恢复，使系统可以迅速进入正常工作状态。整个 Autostore 和 Recall 过程对用户透明，显著降低了软件开发复杂度。
　　此外，该器件采用了先进的 CMOS 工艺制造，具有低功耗和高抗干扰能力。其内置锂电池经过优化设计，寿命长达十年以上，远超同类产品，避免了频繁更换电池带来的维护成本和安全隐患。所有写入操作均可通过标准 SRAM 时序进行，兼容通用微控制器总线接口，无需特殊驱动程序或协议转换。
　　为了进一步增强数据安全性，STK12C68-C45I 提供了硬件写保护引脚（WP），允许用户在特定条件下锁定存储区域，防止误写或恶意篡改。同时，该芯片支持无限次的 SRAM 读写操作（典型的 SRAM 寿命），而 EEPROM 部分则保证至少 100,000 次的擦写周期，满足大多数工业应用的需求。由于其高度集成化的设计，使用 STK12C68-C45I 可以替代传统的 SRAM 加外置 EEPROM 或电池供电方案，节省 PCB 空间，降低整体 BOM 成本，并提升系统可靠性。

STK12C68-C45I 被广泛用于需要高可靠性数据存储和快速访问的嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常被用于 PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和运动控制系统中，用于保存运行参数、校准数据和故障日志等关键信息，确保即使在突发断电情况下也不会丢失重要数据。
　　在通信基础设施中，如路由器、交换机和基站设备，该芯片可用于缓存配置信息和网络状态，在系统重启后能快速恢复服务，减少停机时间。医疗设备也大量采用此类 NVSRAM，例如监护仪、呼吸机和影像设备，用于记录患者治疗过程中的实时数据，保障数据连续性和合规性。
　　在汽车电子方面，STK12C68-C45I 适用于车载诊断系统（OBD）、仪表盘控制模块和高级驾驶辅助系统（ADAS），能够在车辆熄火后保存行驶数据，并在下次启动时立即可用。航空航天与国防系统中，因其耐高温、抗辐射和长寿命特性，也被用于飞行记录器、导航系统和任务计算机中。
　　此外，金融终端设备如 POS 机、ATM 自动柜员机等也依赖该芯片来确保交易数据的安全写入和持久保存，防止因电源故障导致的资金错误或账目混乱。测试与测量仪器同样受益于其快速响应和数据不丢失的特性，可用于示波器、频谱分析仪等设备中临时存储采集结果。总之，凡是要求“像 SRAM 一样快，像 EEPROM 一样持久”的应用场景，都是 STK12C68-C45I 的理想选择。

DS12C887
　　DS12R885
　　MB84VD1M16A-70-SPB