STI400N4F6 时间：2025/7/22 5:25:48 阅读：10

STI400N4F6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能功率MOSFET，采用先进的沟槽式（Trench）技术制造，具备低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能。该器件适用于高功率密度和高效率的电源管理系统，如DC-DC转换器、电源供应器、电机驱动和工业自动化设备等。STI400N4F6采用PowerFLAT 5x6封装，提供良好的散热性能，适合在高温环境下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　漏极电流（ID）：200A
　　导通电阻（RDS(on)）：小于1.8mΩ
　　栅极电压（VGS）：10V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

STI400N4F6采用先进的沟槽型MOSFET技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其高电流承载能力和低热阻使其适用于高功率应用。该器件的封装设计优化了热管理，允许在高电流和高温环境下稳定运行。此外，STI400N4F6具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。
　　在栅极驱动方面，STI400N4F6的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度。这对于高频开关应用尤为重要。此外，该MOSFET的短路耐受能力较强，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　该器件还具备良好的抗静电（ESD）能力，能够在一定程度上抵御静电放电带来的损坏。同时，其封装符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

STI400N4F6广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。例如，在服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器和电机控制系统中，该MOSFET可以作为主开关器件，提供高效的能量转换。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、负载开关和热插拔控制器等应用场景。
　　在汽车电子领域，STI400N4F6可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）等。其高可靠性和优异的热性能使其能够在复杂的汽车环境中稳定运行。同时，该MOSFET也适用于工业自动化设备中的电源管理和电机驱动电路。