STI24N60M2 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道功率MOSFET,采用先进的MESH OVERLAY?技术,专为高效率开关应用设计。该器件具有较低的导通电阻和优异的热性能,适用于多种电源转换器和电机驱动电路。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):24A
最大漏源电压(VDS):600V
导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(最大值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V至4.0V
功率耗散(PD):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
STI24N60M2 MOSFET采用了意法半导体的MESH OVERLAY?技术,使得器件在高频开关条件下仍能保持良好的导通性能和开关性能。其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流应用中降低功率损耗,提高系统效率。该器件还具备优异的雪崩能量承受能力,增强了系统的可靠性和耐用性。
此外,STI24N60M2具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于紧凑型设计和高密度电源应用。其封装形式为TO-220,便于安装和散热管理,广泛应用于各类功率电子设备中。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,允许使用标准的10V或12V驱动电路,简化了驱动电路的设计。同时,其快速的开关速度减少了开关损耗,提高了整体系统的能效。这些特性使得STI24N60M2成为AC-DC电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等应用的理想选择。
STI24N60M2主要用于各种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、工业电机驱动器、太阳能逆变器和电池充电器等。由于其高耐压能力和低导通电阻,该器件在高效率电源转换和功率控制电路中表现出色,特别适合对效率和可靠性有较高要求的应用场景。
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