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STI24N60M2 发布时间 时间:2025/7/22 5:25:00 查看 阅读:7

STI24N60M2 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道功率MOSFET,采用先进的MESH OVERLAY?技术,专为高效率开关应用设计。该器件具有较低的导通电阻和优异的热性能,适用于多种电源转换器和电机驱动电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):24A
  最大漏源电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(最大值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V至4.0V
  功率耗散(PD):40W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

STI24N60M2 MOSFET采用了意法半导体的MESH OVERLAY?技术,使得器件在高频开关条件下仍能保持良好的导通性能和开关性能。其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流应用中降低功率损耗,提高系统效率。该器件还具备优异的雪崩能量承受能力,增强了系统的可靠性和耐用性。
  此外,STI24N60M2具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于紧凑型设计和高密度电源应用。其封装形式为TO-220,便于安装和散热管理,广泛应用于各类功率电子设备中。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,允许使用标准的10V或12V驱动电路,简化了驱动电路的设计。同时,其快速的开关速度减少了开关损耗,提高了整体系统的能效。这些特性使得STI24N60M2成为AC-DC电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等应用的理想选择。

应用

STI24N60M2主要用于各种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、工业电机驱动器、太阳能逆变器和电池充电器等。由于其高耐压能力和低导通电阻,该器件在高效率电源转换和功率控制电路中表现出色,特别适合对效率和可靠性有较高要求的应用场景。

替代型号

STI24N60M5, STP24N60M2, STP24N60M5

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STI24N60M2参数

  • 现有数量190现货
  • 价格1 : ¥22.18000管件
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)190 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1060 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I2PAK(TO-262)
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA