STH3N150-2 时间：2025/7/22 8:01:18 阅读：2

STH3N150-2是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力，适用于多种高要求的电力电子应用。STH3N150-2采用了先进的制造工艺，确保了其在高频率和高负载条件下的稳定性和可靠性。该器件的封装形式为TO-220，适用于需要高效功率转换的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约2V至4V
　　最大功率耗散（Ptot）：约50W（取决于散热条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STH3N150-2作为一款高性能的功率MOSFET，具有多个显著的特性。首先，其高耐压能力（150V）使其适用于多种中高压功率转换应用。其次，低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的功率损耗较小，提高了整体效率。此外，该器件的高电流处理能力（3A）使其能够承受较大的负载，适用于需要高功率输出的设计。STH3N150-2还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持正常工作，增强了其可靠性。该器件的快速开关特性也使其适用于高频开关电路，减少了开关损耗并提高了响应速度。由于其TO-220封装形式，STH3N150-2在散热方面表现出色，适用于需要良好热管理的电路设计。总的来说，STH3N150-2是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，广泛应用于各类电力电子设备中。

应用

STH3N150-2适用于多种电力电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、照明控制电路以及各种高功率开关电路。其高耐压和良好的导通特性使其成为需要高效功率转换的电路设计中的理想选择。此外，由于其良好的热稳定性和高可靠性，STH3N150-2也常用于工业自动化设备、消费电子产品以及汽车电子系统中。