时间：2025/7/8 17:46:59
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STH315N10F7-6 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种高效率电源转换应用。其封装形式为 TO-247，适合大功率、高散热需求的应用场景。
该型号中的具体参数定义如下：ST 表示意法半导体，H315 表示产品系列，N 表示 N 沟道，10 表示耐压等级为 100V，F7 表示导通电阻优化系列，最后的 -6 表示封装类型为 TO-247。
额定电压：100V
最大连续漏极电流：90A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
STH315N10F7-6 的主要特点是其低导通电阻和高电流处理能力，这使其非常适合于需要高效功率转换的应用。此外，该器件还具有以下优点：
1. 高效节能：由于其低 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，提升系统整体效率。
2. 快速开关性能：较低的栅极电荷使得器件在高频应用中表现优异。
3. 热稳定性强：能够在高温环境下长时间稳定运行，最高结温可达 175°C。
4. 可靠性高：通过了多项严苛的可靠性测试，确保长期使用中的稳定性和耐用性。
这些特性使 STH315N10F7-6 成为工业电机驱动、不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器等应用的理想选择。
该芯片广泛应用于需要高功率密度和高效率的场合，典型应用包括：
1. 工业电机驱动与控制
2. 不间断电源（UPS）
3. 太阳能逆变器
4. 电动车充电站
5. 开关电源（SMPS）
6. LED 驱动器
在这些应用中，STH315N10F7-6 能够提供稳定的电流输出和高效的能量转换，同时保证系统的可靠性和安全性。
STH315N10F7, IRFB3107Z, FDP17N10E
