时间：2025/7/23 11:22:35
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STH310N10F7-2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET? F7技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的热管理和紧凑的设计，适合空间受限的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：310A
最大漏源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs, 1.25mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：230nC（典型值）
输入电容（Ciss）：6000pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
STH310N10F7-2 功率MOSFET采用STripFET? F7技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。此外，该器件的热管理性能优异，能够有效散热，从而提高系统的稳定性和可靠性。
该MOSFET的封装设计为PowerFLAT 5x6，具有较小的封装尺寸，非常适合空间受限的应用，如服务器电源、电信设备、电动车和工业电机控制。其高电流承载能力和优异的热性能使其能够在高负载条件下稳定工作。
此外，STH310N10F7-2具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。其设计还支持快速开关操作，从而减少了开关损耗并提高了系统效率，非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动电路。
STH310N10F7-2 广泛应用于需要高效率和高性能的功率电子设备中。典型应用包括服务器和电信电源系统、电动车（EV）充电系统、工业电机控制、DC-DC转换器、电源管理模块以及高功率负载开关。其优异的导通和开关性能也使其适用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的高功率控制电路。
在电动车和可再生能源系统中，该MOSFET可用于逆变器、充电器和能量回收系统。其高可靠性和耐用性使其成为汽车电子和工业自动化设备中的理想选择。此外，它还可用于高性能计算设备的电源管理和节能电源系统的设计。
STH310N10F7AG-2, STH310N10F7-2AG, STH310N10F7AG-2T
