您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STH270N4F3-2

STH270N4F3-2 发布时间 时间:2025/9/3 18:51:20 查看 阅读:11

STH270N4F3-2是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流、低电压应用而设计,广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该MOSFET采用了先进的技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):150A(在Tc=25°C时)
  漏极电流峰值(Idm):600A
  导通电阻(Rds(on)):0.85mΩ(最大值,Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  安装类型:表面贴装

特性

STH270N4F3-2具有多项优异的电气和热性能特性。首先,其极低的导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗,从而提高整体能效。其次,该器件支持高达150A的连续漏极电流,适用于高功率密度的设计需求。此外,STH270N4F3-2具备较高的雪崩能量耐受能力,确保在极端工作条件下的可靠性。其PowerFLAT 5x6封装设计不仅体积小巧,还具备良好的热管理能力,有助于提高散热效率。内置的栅极保护二极管可防止静电放电(ESD)造成的损坏,增强器件的耐用性。该MOSFET适用于高频开关应用,具备快速开关速度和较低的开关损耗。

应用

STH270N4F3-2常用于各类高性能电源管理与功率控制应用,包括但不限于:DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具和电动汽车中的功率模块、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外,该器件也适用于高电流便携式设备和服务器电源系统中,以提升整体系统效率和稳定性。

替代型号

STL270N4F3-2, STB270N4F3-2

STH270N4F3-2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STH270N4F3-2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101, STripFET? III
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)180A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.7 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7400 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装H2PAK
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型