时间：2025/9/3 18:51:20
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STH270N4F3-2是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流、低电压应用而设计，广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该MOSFET采用了先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25°C时）
漏极电流峰值（Idm）：600A
导通电阻（Rds(on)）：0.85mΩ（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装
STH270N4F3-2具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其极低的导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体能效。其次，该器件支持高达150A的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计需求。此外，STH270N4F3-2具备较高的雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下的可靠性。其PowerFLAT 5x6封装设计不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，有助于提高散热效率。内置的栅极保护二极管可防止静电放电（ESD）造成的损坏，增强器件的耐用性。该MOSFET适用于高频开关应用，具备快速开关速度和较低的开关损耗。
STH270N4F3-2常用于各类高性能电源管理与功率控制应用，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具和电动汽车中的功率模块、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于高电流便携式设备和服务器电源系统中，以提升整体系统效率和稳定性。
STL270N4F3-2, STB270N4F3-2
