STH180N10F3 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件专为高效率电源转换和电机控制等应用设计,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于工业电源、汽车电子、电机驱动器和 DC-DC 转换器等场合。
类型:N 沟道
漏源电压(Vds):100V
漏极电流(Id):180A(Tc)
导通电阻 Rds(on):4.2mΩ(最大值)
栅极电荷(Qg):160nC
工作温度:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-247AC
STH180N10F3 的核心特性之一是其超低导通电阻,仅为 4.2mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件采用 STMicroelectronics 先进的 MDmesh? F3 技术制造,结合了快速开关性能和优异的热稳定性,使其能够在高频率和高负载条件下稳定运行。
此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽广,通常在 10V 至 20V 之间,适合多种驱动器配合使用。
封装方面,TO-247AC 封装提供了良好的散热性能和机械强度,适用于高功率密度设计。该封装还便于安装散热片,以进一步提高热管理能力。
STH180N10F3 的开关性能也非常出色,具有较低的开关损耗,适用于高频开关应用,如同步整流器、DC-DC 转换器和 UPS 系统。
STH180N10F3 广泛应用于多个领域,包括工业电源、服务器电源、不间断电源(UPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、电动汽车充电系统以及各种高功率开关电路。
在工业自动化领域,它可用于驱动大功率电机或作为主开关元件,提供高效的能量传输。在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,该器件能够实现高效率的电力转换。
由于其高可靠性和优异的热性能,STH180N10F3 也适用于汽车电子系统,例如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等。
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