STH180N10F3 时间：2025/7/22 13:40:57 阅读：5

STH180N10F3 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件专为高效率电源转换和电机控制等应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于工业电源、汽车电子、电机驱动器和 DC-DC 转换器等场合。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：180A（Tc）
　　导通电阻 Rds(on)：4.2mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：160nC
　　工作温度：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

STH180N10F3 的核心特性之一是其超低导通电阻，仅为 4.2mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用 STMicroelectronics 先进的 MDmesh? F3 技术制造，结合了快速开关性能和优异的热稳定性，使其能够在高频率和高负载条件下稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽广，通常在 10V 至 20V 之间，适合多种驱动器配合使用。
　　封装方面，TO-247AC 封装提供了良好的散热性能和机械强度，适用于高功率密度设计。该封装还便于安装散热片，以进一步提高热管理能力。
　　STH180N10F3 的开关性能也非常出色，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流器、DC-DC 转换器和 UPS 系统。

应用

STH180N10F3 广泛应用于多个领域，包括工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电动汽车充电系统以及各种高功率开关电路。
　　在工业自动化领域，它可用于驱动大功率电机或作为主开关元件，提供高效的能量传输。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件能够实现高效率的电力转换。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，STH180N10F3 也适用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等。