时间：2025/5/7 9:54:58
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STH180N10F3-2是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于多种工业和汽车应用。其设计旨在提供高效、可靠的开关性能，特别是在需要大功率输出的场景中。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：180A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：150nC
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃至175℃
STH180N10F3-2是一款高性能的功率MOSFET，它具有较低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了整体效率。此外，它的栅极电荷较小，有助于实现快速开关动作，进而降低开关损耗。
这款MOSFET具备出色的热稳定性，能够在较高的结温下保持正常工作，这使得它非常适合于高温环境下的应用。同时，其大电流承载能力使其成为驱动大负载的理想选择。
STH180N10F3-2还具有良好的抗雪崩能力，能够承受短暂的过载或反向恢复情况下的能量冲击，增强了系统的可靠性和耐用性。
由于采用了TO-247封装，这种MOSFET拥有优异的散热性能，便于在高功率密度的应用场合中进行有效散热管理。
STH180N10F3-2广泛应用于各类需要高效功率转换和控制的领域。例如，在电动车辆和混合动力汽车的电机驱动器中，它可以作为主功率开关元件；在太阳能逆变器中，用于实现直流到交流的高效转换；在不间断电源（UPS）系统中，用作关键的功率切换组件；在工业自动化设备中，可用于控制各种大功率负载，如伺服电机、液压泵等。
此外，它也适合于焊接设备、感应加热装置以及其他需要大电流、高效率工作的应用场景。
STH180N10F3
IRFP260N
IXFN180N10T2
