时间：2025/5/9 14:09:07
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STH12N120K5-2是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于MDmesh K5技术系列，采用了先进的超结结构设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。STH12N120K5-2适用于高效率的功率转换应用，如开关电源、电机驱动、逆变器等场景。
其额定电压为1200V，连续漏极电流为12A，典型导通电阻Rds(on)为1.35Ω。该器件封装形式为TO-247，具有出色的热性能和电气性能。
额定电压：1200V
连续漏极电流：12A
峰值漏极电流：96A
导通电阻Rds(on)：1.35Ω
栅极电荷Qg：55nC
输入电容Ciss：1850pF
反向恢复时间Trr：75ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
STH12N120K5-2具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：1200V，能够适应高压环境下的应用需求。
2. 低导通电阻：Rds(on)仅为1.35Ω，在高电流应用中减少功率损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷Qg和反向恢复时间Trr，降低开关损耗。
4. 强大的热稳定性：能够在极端温度范围内工作，适合工业和汽车级应用。
5. 超结技术：采用MDmesh K5技术，优化了芯片内部结构以提升整体性能。
6. 封装优势：TO-247封装提供良好的散热性能，便于系统集成。
这些特性使得STH12N120K5-2成为高效功率转换的理想选择。
STH12N120K5-2广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：包括AC-DC适配器、PC电源等。
2. 工业设备：用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。
3. 电机控制：支持无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动。
4. 太阳能逆变器：用于光伏系统的电力转换部分。
5. 充电器：涵盖电动车充电器、电池充电模块等。
由于其高耐压能力和低功耗特性，该器件非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
STH14N120K5-2, STH10N120K5-2
