STH10810-2 时间：2025/7/23 1:19:08 阅读：12

STH10810-2 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高频应用设计。这款器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源转换、电机控制、负载开关等场合。STH10810-2 的封装形式通常为 TO-220 或 TO-262，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：80A
　　最大漏极-源极电压：100V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 8.5mΩ（典型值 6.5mΩ）
　　最大功耗：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220 或 TO-262

特性

STH10810-2 MOSFET 具有多个显著的性能特点。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。其次，该器件具有较高的耐压能力，漏极-源极电压额定值为 100V，适用于多种中高压应用场景。此外，STH10810-2 的高开关速度使其非常适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，减少开关损耗并提高响应速度。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其封装设计有助于快速散热，确保在高功率操作时不会因温度过高而损坏。此外，STH10810-2 的栅极驱动要求较低，兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计。这些特性使得 STH10810-2 成为电机驱动、电源管理和工业控制等领域的理想选择。

应用

STH10810-2 被广泛应用于多种电力电子系统中。它常见于开关电源（SMPS）中作为主开关元件，用于高效地转换和调节电压。在电机控制系统中，STH10810-2 可作为 H 桥的高边或低边开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，它也适用于电池管理系统、不间断电源（UPS）、逆变器和 LED 照明驱动器等应用。在汽车电子中，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电动车辆的动力系统中。由于其高可靠性和优异的热性能，STH10810-2 也常用于工业自动化设备和机器人控制系统中。