STGWS38IH130D 时间：2025/7/31 17:49:10 阅读：12

STGWS38IH130D 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高集成度、高性能的智能功率模块（IPM），基于第三代碳化硅（SiC）技术。该模块集成了一个SiC MOSFET功率开关、驱动电路以及保护功能，适用于高效率、高频率的电力电子变换器应用。STGWS38IH130D 采用紧凑型封装，提供更高的功率密度和更低的开关损耗，适用于工业电机驱动、电动汽车（EV）充电系统、可再生能源逆变器等应用。

参数

功率器件类型：SiC MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：38A
　　最大漏源电压（VDS）：1300V
　　导通电阻（RDS(on)）：130mΩ
　　工作温度范围：-40°C ~ 150°C
　　隔离电压：2000Vrms
　　封装类型：DIP-26
　　驱动电压范围：15V ~ 18V
　　内置保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）

特性

STGWS38IH130D 采用第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术，具备极低的导通电阻和开关损耗，显著提升系统效率并降低散热需求。其集成的驱动电路优化了开关性能，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性和稳定性。模块内部集成了多种保护功能，如过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和欠压锁定（UVLO），可有效防止异常工况对功率器件的损坏。此外，该模块具有较高的绝缘等级（2000Vrms），适用于需要高电气隔离的应用场景。其紧凑的DIP-26封装形式便于安装和散热管理，适用于高频开关应用。
　　STGWS38IH130D 的碳化硅技术相比传统硅基IGBT，具有更低的开关损耗和更高的工作频率能力，使其适用于高效能、高功率密度的电源转换系统。其内置的驱动电路设计优化了栅极驱动信号的传输延迟和稳定性，确保功率器件在高速开关过程中保持良好的性能。同时，模块的热管理设计也经过优化，能够在较高温度环境下稳定工作，提升了系统的整体可靠性。

应用

STGWS38IH130D 主要应用于需要高效能、高可靠性的功率转换系统，包括工业电机驱动、伺服驱动器、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）、UPS不间断电源、高频DC-DC转换器等。其高集成度和内置保护功能特别适用于对空间和效率有严格要求的系统设计。由于其碳化硅MOSFET的高频特性，也适用于需要高开关频率和低损耗的先进功率电子设备。