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STGWA25H120DF2 发布时间 时间:2025/7/22 16:13:41 查看 阅读:8

STGWA25H120DF2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业和电力电子领域。该模块集成了IGBT和快速恢复二极管(FRED),具有高耐压、高电流承载能力以及优异的热性能。STGWA25H120DF2 通常用于逆变器、电机驱动、可再生能源系统和电源转换设备等应用场景。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):25A
  最大工作温度:150°C
  封装类型:双列直插式(DIP)
  短路耐受能力:有
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
  反向恢复时间(trr):约250ns(典型值)
  热阻(Rth):约1.2°C/W(结到外壳)

特性

STGWA25H120DF2 是一款高性能的IGBT模块,具备多项关键特性,使其在电力电子应用中表现出色。首先,该模块具有高达1200V的集电极-发射极击穿电压(VCES),能够承受较高的电压应力,适用于中高功率的电力转换系统。其次,其额定集电极电流为25A,能够支持较大的负载能力,适用于多种逆变器和电机控制应用。
  该模块内部集成了快速恢复二极管(FRED),与IGBT芯片协同工作,提高了系统的整体效率并减少了外部元件数量,从而简化了设计并提高了可靠性。此外,STGWA25H120DF2 采用了优化的芯片设计,降低了导通压降(VCE_sat),通常在2.1V左右,有助于降低导通损耗,提高能效。
  在动态性能方面,该模块具备较低的开关损耗,能够支持高频开关操作,适用于如变频器、伺服驱动器和太阳能逆变器等应用。其反向恢复时间(trr)约为250ns,有助于减少开关过程中的能量损耗并降低电磁干扰(EMI)。
  从热管理角度来看,STGWA25H120DF2 具备良好的热稳定性,热阻(Rth)约为1.2°C/W(结到外壳),确保了在高负载条件下的稳定运行。该模块还具备一定的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供一定程度的保护,提高系统的可靠性。
  此外,该模块采用双列直插式(DIP)封装,便于安装和散热管理,适用于各种工业级应用环境。整体来看,STGWA25H120DF2 是一款集高耐压、大电流、低损耗和高可靠性于一体的IGBT模块。

应用

STGWA25H120DF2 主要应用于各种中高功率电力电子系统。例如,在工业自动化领域,该模块可用于变频器和伺服驱动器,实现对电机的高效控制。在可再生能源领域,该模块可用于太阳能逆变器,将直流电转换为交流电并馈入电网。此外,该模块也适用于不间断电源(UPS)、焊接设备、感应加热系统和电动汽车充电设备等应用场景。
  由于其集成了IGBT和快速恢复二极管,该模块在逆变器拓扑结构中表现尤为出色,能够有效减少外围元件数量,简化电路设计。其高频开关能力也使其适用于需要高效能和紧凑设计的现代电力电子系统。在电机控制应用中,STGWA25H120DF2 能够提供稳定的输出性能,并具备良好的动态响应能力,确保电机运行的平稳性和高效性。
  在工业电源系统中,该模块可以用于DC-AC和AC-AC转换,适用于各种中高功率的电源拓扑结构。由于其良好的热管理和高可靠性,STGWA25H120DF2 也适用于长时间连续运行的工业设备,如生产线自动化控制系统和高功率测试设备。

替代型号

SGW25N120HD, FGH25N120D, STGWA25V120DF2

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STGWA25H120DF2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥51.52000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)100 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.6V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值375 W
  • 开关能量600μJ(开),700μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷100 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值29ns/130ns
  • 测试条件600V,25A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)303 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3