时间：2025/4/29 10:32:05
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STGW80H65DFB是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装。该器件专为高电压应用设计，能够提供低导通电阻和高效率性能，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他功率电子系统。它属于ST的MDmesh技术系列，具有优化的栅极电荷和出色的开关特性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：1.1Ω
栅极电荷：23nC
总电容：320pF
工作温度范围：-55℃至175℃
STGW80H65DFB采用了先进的MDmesh DMOS技术，具备以下主要特性：
1. 高击穿电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻，减少功率损耗并提高效率。
3. 栅极电荷较低，有助于降低开关损耗。
4. 快速开关速度，支持高频操作。
5. 具备优异的热稳定性和可靠性，可承受极端的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代设计中。
该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）。
2. DC-DC转换器。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）。
4. 工业电机驱动和控制系统。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源应用。
6. 家电中的功率管理模块。
STGW80H65DM2, IRFBG30N65D, FGH65R085MD1
