时间：2025/5/10 14:46:05
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STGW60H65DFB是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压MOSFET，采用TO-220封装。该器件主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用中。其设计目标是提供高效率的功率转换和良好的热性能。
STGW60H65DFB属于STPOWER系列，基于先进的沟槽栅极技术制造，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适合在高频和高功率条件下使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6A
导通电阻：1.7Ω（典型值，在VGS=10V时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：1400pF（典型值）
总功耗：12W
工作温度范围：-55℃至+150℃
STGW60H65DFB具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（650V），适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on) = 1.7Ω），减少导通损耗，提高系统效率。
3. 较低的栅极电荷（Qg = 38nC），有助于降低开关损耗。
4. 快速开关速度，支持高频操作，减少磁性元件体积。
5. 热稳定性强，能够在高温环境下可靠工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
STGW60H65DFB广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机控制和逆变器。
3. DC-DC转换器，用于汽车电子和通信设备。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 各种需要高效功率转换的工业和消费类电子产品。
其高击穿电压和低导通电阻使其成为高压和高效率应用的理想选择。
STGW70H65DFB
IRF840
FDP5700
STP70NF65
