STGW40NC60WD
时间:2023/6/12 10:45:51
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概述
制造商:STMicroelectronics
产品种类:IGBT 晶体管
封装 / 箱体:TO-247
集电极-发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极-射极击穿电压:600 V
集电极-射极饱和电压:1.9 V/2.1 A
栅极/发射极最大电压:20 V
集电极最大连续电流 Ic:70 A
栅极-射极漏泄电流:+/- 100 nA
功率耗散:250 W
封装:Tube
配置:Single
STGW40NC60WD参数
- 其它有关文件STGW40NC60WD View All Specifications
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列PowerMESH™
- IGBT 类型-
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,30A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)70A
- 功率 - 最大250W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳TO-247-3
- 供应商设备封装TO-247-3
- 包装管件
- 其它名称497-5742