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STGP19NC60WD 发布时间 时间:2025/7/23 16:53:18 查看 阅读:9

STGP19NC60WD 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,专为高电压和高电流应用设计。这款IGBT具有600V的集电极-发射极击穿电压和19A的额定集电极电流,适用于电源转换系统、工业电机控制、变频器和新能源等领域。

参数

集电极-发射极击穿电压:600V
  额定集电极电流:19A
  栅极-发射极电压范围:-20V ~ +20V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降:约1.55V(典型值)
  短路耐受能力:有
  功率耗散:125W

特性

STGP19NC60WD 具有低导通压降和低开关损耗的特点,使其在高频率和高负载条件下表现出色。
  该IGBT采用了先进的沟槽栅和电场停止技术,提升了器件的能效和可靠性。
  内置反向恢复二极管,具有良好的热稳定性和短路耐受能力,适用于恶劣的工作环境。  STGP19NC60WD的封装形式为TO-247,便于散热和安装,适合在紧凑型功率模块中使用。

应用

STGP19NC60WD 常用于工业电机驱动器、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动车充电设备以及各种高功率开关电源系统中。
  它也适用于需要高效能和高可靠性的家电控制,如电磁炉和空调压缩机控制。
  在新能源领域,该IGBT可应用于风力发电变流器和储能系统中的功率变换模块。
  此外,STGP19NC60WD 还可用于工业自动化设备中的伺服电机控制和电源管理系统。

替代型号

SGW20N60WDT4、FGA25N60LDT4、IKW20N60T

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STGP19NC60WD参数

  • 其它有关文件STGP19NC60WD View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大125W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-6027-5