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STGD6NC60HDT4 发布时间 时间:2025/4/30 14:09:59 查看 阅读:16

STGD6NC60HDT4 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款650V碳化硅(SiC)MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的碳化硅技术,具有高效率、快速开关速度和低导通电阻的特性,适合用于高频开关应用中,例如开关电源、逆变器、电机驱动以及DC-DC转换器等。其封装形式为TO-247-4,带 Kelvin 源极引脚设计,有助于降低寄生电感影响,从而改善EMI性能和动态表现。
  STGD6NC60HDT4的设计旨在提供更高的系统效率和功率密度,同时简化散热管理,使工程师能够在更小的空间内实现更高性能。

参数

额定电压:650V
  额定电流:6A
  Rds(on):80mΩ(最大值,典型值为70mΩ@25°C)
  栅极电荷:30nC(最大值)
  输入电容:940pF
  总耗散功率:~18W(具体取决于环境温度和散热条件)
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-247-4

特性

STGD6NC60HDT4 使用了碳化硅材料,相比传统的硅基功率器件,它能够显著提高开关频率并减少开关损耗。
  主要特性包括:
  1. 高效开关性能:由于较低的Rds(on),在高频操作下可以实现更低的传导损耗。
  2. 快速开关能力:极低的栅极电荷与输出电荷使其非常适合高频应用。
  3. 热稳定性强:能够在高达175°C的结温下稳定运行。
  4. 凯尔文源级设计:通过减少寄生电感干扰,优化了动态性能,降低了开关噪声。
  5. 坚固耐用:具备强大的抗雪崩能力和短路耐受时间,提高了系统可靠性。
  6. EMI性能优异:改进的开关行为减少了电磁干扰问题,使得符合EMI标准的设计更加容易。

应用

STGD6NC60HDT4 广泛应用于需要高效率和高频操作的电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS):如服务器电源、工业电源和电信电源。
  2. 电机驱动:电动汽车牵引逆变器、工业自动化中的伺服驱动器。
  3. 太阳能逆变器:光伏系统的MPPT控制器和逆变模块。
  4. DC-DC转换器:适用于车载充电器、分布式能源系统和不间断电源(UPS)。
  5. 快速充电设备:手机、笔记本电脑和其他消费类产品的快充适配器。
  由于其卓越的电气特性和热性能,这款SiC MOSFET是现代高效功率转换的理想选择。

替代型号

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STGD6NC60HDT4参数

  • 其它有关文件STGD6NC60HD View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,3A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)15A
  • 功率 - 最大56W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-5112-6