STGD4M65DF2 时间：2025/4/28 12:47:44 阅读：2

STGD4M65DF2是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款650V耐压的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能电源转换应用，如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等。此外，STGD4M65DF2还具备出色的雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
　　该产品属于ST的Power MOSFET系列，专为中高电压应用场景设计，能够满足工业和消费电子领域对效率和可靠性的严格要求。

参数

电压等级：650V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻（典型值）：480mΩ
　　栅极电荷：13nC
　　输入电容：970pF
　　总功耗：1.2W
　　结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220AC

特性

STGD4M65DF2是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括以下几点：
　　1. 高耐压能力：额定电压为650V，适用于多种高压应用场合。
　　2. 低导通电阻：典型值仅为480mΩ，在降低传导损耗的同时提升了整体效率。
　　3. 快速开关性能：得益于较低的栅极电荷（13nC），可以实现高频开关操作，减少开关损耗。
　　4. 稳定性强：具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，可承受异常工作条件下的能量冲击。
　　5. 封装紧凑：采用标准TO-220AC封装，易于安装且散热性能优越。
　　6. 工作温度范围广：支持从-55℃到+175℃的宽结温范围，适应各种极端环境。

应用

STGD4M65DF2因其卓越的电气特性和可靠性，广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）：
　　 - 适配器和充电器
　　 - AC-DC转换器
　　2. 电机驱动：
　　 - 家用电器中的小型电机控制
　　 - 工业自动化设备中的驱动电路
　　3. DC-DC转换器：
　　 - 汽车电子系统
　　 - 通信基站供电模块
　　4. 其他功率转换应用：
　　 - LED照明驱动
　　 - 太阳能微逆变器
　　这些应用充分利用了STGD4M65DF2的高效率、快速响应和高可靠性特点。