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STGD25N40LZAG 发布时间 时间:2025/5/7 20:03:46 查看 阅读:6

STGD25N40LZAG是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用MDAP10封装形式。这款器件适用于高效率、高频开关应用,广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
  该器件基于先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:68nC(典型值)
  总电容:1950pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:MDAP10

特性

STGD25N40LZAG具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 高电流处理能力,支持高达25A的连续漏极电流。
  4. 先进的热设计,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 良好的抗雪崩能力,提升了系统的可靠性。

应用

STGD25N40LZAG适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制。
  3. 工业逆变器和变频器。
  4. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 各类高效能功率转换应用,例如太阳能逆变器。
  6. 一般用途的负载开关和保护电路。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N10E, STP25NF40

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STGD25N40LZAG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥16.38000剪切带(CT)2,500 : ¥7.49952卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)435 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)25 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)50 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)1.25V @ 4V,6A
  • 功率 - 最大值125 W
  • 开关能量-
  • 输入类型逻辑
  • 栅极电荷26 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值1.1μs/4.6μs
  • 测试条件300V,10A,1 千欧,5V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装D-PAK(TO-252)