STGD25N40LZAG是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用MDAP10封装形式。这款器件适用于高效率、高频开关应用,广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
该器件基于先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:25A
导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:68nC(典型值)
总电容:1950pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:MDAP10
STGD25N40LZAG具有以下主要特点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力,适合高频应用场景。
3. 高电流处理能力,支持高达25A的连续漏极电流。
4. 先进的热设计,确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 良好的抗雪崩能力,提升了系统的可靠性。
STGD25N40LZAG适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制。
3. 工业逆变器和变频器。
4. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
5. 各类高效能功率转换应用,例如太阳能逆变器。
6. 一般用途的负载开关和保护电路。
IRFZ44N, FDP55N10E, STP25NF40