STGB3NB60SD 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高功率、高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高电压和高电流的应用场合。该模块集成了一个IGBT芯片和一个快速恢复二极管(FRED),采用紧凑型封装设计,适用于需要高效率和可靠性的电力电子系统。
最大集电极-发射极电压(Vce):600V
最大集电极电流(Ic):3A
最大工作温度:150°C
集电极-发射极饱和电压(Vce_sat):约1.45V @ Ic=3A
最大栅极-发射极电压(Vge):±20V
最大工作频率:100kHz
热阻(Rth):约25°C/W
STGB3NB60SD 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其600V的高击穿电压使得该模块适用于中高功率应用,如电源转换器、电机驱动器和工业自动化设备。其次,集成的快速恢复二极管可以显著减少开关损耗,提高系统效率。此外,该模块采用了先进的沟槽式IGBT技术,降低了导通压降和开关损耗,提高了能效。模块封装设计优化了热管理,提高了散热效率,从而延长了器件的使用寿命。STGB3NB60SD还具备良好的短路耐受能力,使其在过载或故障条件下具有更高的稳定性。最后,该模块的紧凑型封装设计使其适用于空间受限的应用场景,如小型电源设备和嵌入式系统。
STGB3NB60SD 广泛应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于:工业电机驱动、电源转换器、UPS(不间断电源)、可再生能源系统(如太阳能逆变器和风能变流器)、家用电器(如高效变频空调)以及电动汽车充电设备。由于其高效率、高可靠性和紧凑设计,该模块也适用于需要频繁开关操作的高频电力电子应用。
STGB3NC60SD, STGB4NB60SD, STGP3NB60SD