时间：2025/7/22 5:25:12
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STGB3NB60SD 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率、高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，主要用于高电压和高电流的应用场合。该模块集成了一个IGBT芯片和一个快速恢复二极管（FRED），采用紧凑型封装设计，适用于需要高效率和可靠性的电力电子系统。
最大集电极-发射极电压(Vce)：600V
最大集电极电流(Ic)：3A
最大工作温度：150°C
集电极-发射极饱和电压(Vce_sat)：约1.45V @ Ic=3A
最大栅极-发射极电压(Vge)：±20V
最大工作频率：100kHz
热阻(Rth)：约25°C/W
STGB3NB60SD 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其600V的高击穿电压使得该模块适用于中高功率应用，如电源转换器、电机驱动器和工业自动化设备。其次，集成的快速恢复二极管可以显著减少开关损耗，提高系统效率。此外，该模块采用了先进的沟槽式IGBT技术，降低了导通压降和开关损耗，提高了能效。模块封装设计优化了热管理，提高了散热效率，从而延长了器件的使用寿命。STGB3NB60SD还具备良好的短路耐受能力，使其在过载或故障条件下具有更高的稳定性。最后，该模块的紧凑型封装设计使其适用于空间受限的应用场景，如小型电源设备和嵌入式系统。
STGB3NB60SD 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：工业电机驱动、电源转换器、UPS（不间断电源）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能变流器）、家用电器（如高效变频空调）以及电动汽车充电设备。由于其高效率、高可靠性和紧凑设计，该模块也适用于需要频繁开关操作的高频电力电子应用。
STGB3NC60SD, STGB4NB60SD, STGP3NB60SD
