时间：2025/7/23 19:45:11
阅读：8
STGB12NB60KDT4 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高电压和高电流应用场景设计。该模块采用高性能硅芯片技术和先进的封装工艺，提供优异的热性能和电气稳定性，适用于工业电机驱动、电力变换器、新能源系统等领域。
集电极-发射极电压（Vce）：600V
集电极电流（Ic）：12A
最大工作温度：150°C
短路耐受能力：6μs
导通压降：约1.55V（典型值）
封装类型：TO-247
安装类型：通孔安装
STGB12NB60KDT4 采用了先进的IGBT技术，具有低导通损耗和开关损耗的特点，能够在高频率下高效运行。其优化的硅芯片设计提高了短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。模块封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。此外，该模块还集成了快速恢复二极管，进一步提升了整体效率和性能。
该器件的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路设计，降低了系统复杂度。同时，STGB12NB60KDT4具备良好的电磁兼容性（EMC），适用于对噪声敏感的应用场景。其高可靠性和稳定性使其成为工业自动化、电动车辆充电系统和可再生能源系统中的理想选择。
STGB12NB60KDT4 广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备、感应加热系统以及新能源汽车充电模块。由于其高耐压能力和出色的热管理性能，该IGBT模块也非常适合用于太阳能逆变器和风力发电变流器等可再生能源系统中。此外，在电动交通工具的电池管理系统中，该器件可作为关键的功率开关元件，提供高效稳定的能量转换能力。
STGB15NB60KDZ, STGIPN3K60T-H, STGIPN3H60T-H
